專利分析：籽晶粘接劑和籽晶粘接方法以及碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法

碳化硅（SiC）是一種由碳和硅元素穩(wěn)定結(jié)合形成的晶體材料，具有高溫穩(wěn)定性、高硬度、耐腐蝕性等優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)，因此在能源、電子、半導(dǎo)體、陶瓷和涂層等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。然而，碳化硅晶體在生長(zhǎng)初期，通常存在晶體質(zhì)量較差的問題，這影響了整體晶體的質(zhì)量。

該專利的目的是提供一種能夠改善碳化硅晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的籽晶粘接劑、籽晶粘接方法以及碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法。

1. 籽晶粘接劑：該粘接劑包括粘接劑主體和吸氣劑，質(zhì)量比為1:(0.1～0.6)。吸氣劑為粉末狀，分散在粘接劑主體中，吸氣劑選自鈦、鋯、鉭和鈮中的一種或多種組合。

2. 籽晶粘接方法：使用上述的籽晶粘接劑將籽晶粘貼于目標(biāo)粘接面，然后對(duì)籽晶粘接劑進(jìn)行真空熱壓固化。真空熱壓固化過程中，溫度從室溫升至第一預(yù)設(shè)溫度（150～250℃），保溫一定時(shí)間，再升至第二預(yù)設(shè)溫度（350～550℃），升溫速率不高于60℃/h。

3. 碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法：先按照上述籽晶粘接方法粘貼籽晶，然后進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。

專利中描述了多個(gè)實(shí)施例，展示了不同粘接劑組合和熱壓固化條件下的碳化硅晶體生長(zhǎng)結(jié)果。以下是幾個(gè)關(guān)鍵實(shí)施例的描述：

• 實(shí)施例1：粘接劑主體為酚醛樹脂，吸氣劑為鉭粉末，溶劑為無水乙醇，質(zhì)量比為1:0.3:0.5。籽晶粘接劑在真空熱壓固化過程中，先從室溫升溫至200℃，升溫速率為100℃/h，保溫60分鐘，再升至450℃，升溫速率為50℃/h，保溫120分鐘。

  
  

  實(shí)施例1籽晶背面形貌

• 實(shí)施例4：用鈮粉末替代鉭粉末，其他條件與實(shí)施例1相同。

• 對(duì)比例1：粘接劑中未加入吸氣劑，最終生長(zhǎng)得到的晶體背面粗糙、不均勻，顯示出粘接劑均勻性差，導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降。