意法推出512Mbit閃存解決方案

在一個封裝內整合256Mbit和512Mbit的NOR閃存以及PSRAM或LPSDRAM，創(chuàng)造高達1Gbit的多片封裝閃存子系統(tǒng)


意法半導體近日推出了最新一代手機專用的NOR閃存子系統(tǒng)。意法半導體是世界最大的NOR閃存供應商之一，在開發(fā)半導體精細制造技術領域居世界領先水平。新的多片子系統(tǒng)在一個封裝內整合了ST新開發(fā)的256Mbit和512Mbit單片NOR閃存芯片以及偽靜態(tài)隨機存取存儲器（PSRAM）或小功率同步動態(tài)隨機存取存儲器（LPSDRAM）。新的NOR閃存子系統(tǒng)專門為第三代手機應用設計，采用ST先進的90nm工藝開發(fā)制造，代碼執(zhí)行速度更快，價格更加低廉。

新的閃存子系統(tǒng)采用多片封裝（MCP）技術，含有多種芯片組合，包括：

512 Mbit 閃存 + 64 Mbit PSRAM (M36P0R9060);
512 Mbit 閃存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 閃存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):

此外，還有容量高達1Gbit的三片疊裝和基于ST新開發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。

ST新的NOR閃存將存儲性能提升到了一個新的水平，讀取速率高達133MHz，比市場現(xiàn)有產(chǎn)品快2倍。此外，編程速率高達0.5兆字節(jié)每秒，比現(xiàn)有NOR閃存解決方案提高2倍。意法半導體存儲器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說：“我們新的NOR閃存芯片具有優(yōu)異的讀取速度，能夠實現(xiàn)目前最快讀取速度的芯片組，因而提高先進手機平臺的代碼執(zhí)行速度。此外，其 每秒 0.5兆字節(jié)的 編程速率以及極低的功耗還支持手機上的高分辨相機。” 

ST新的閃存產(chǎn)品不僅采用90nm光刻技術，還運用了經(jīng)過驗證的先進存儲技術，例如，多電平單
元(MLC)閃存和多區(qū)塊體系結構，這些特性都是針對第三代多媒體手機的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點專門設計開發(fā)的。

在封裝方面，采用一個單片小封裝內集成不同類型的存儲器的整合方法，可以 節(jié)省電路板空間， 提高制造商產(chǎn)品的可靠性。而且，在一個容量非常小的封裝內組裝超大容量的存儲器是即將到來的第三代應用處理多媒體內容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。                                            

軟件支持在客戶的應用平臺內整合數(shù)據(jù)和文件管理功能，這一特性完善了ST存儲子系統(tǒng)產(chǎn)品范
圍，有助于縮短制造商的產(chǎn)品化周期。

這兩個新產(chǎn)品系列所包含的存儲器組合都已上市銷售，采用BGA封裝：NOR閃存+PSRAM，8 x 11mm (ZAC) LFBGA107封裝；NOR閃存+LPSDRAM，9x11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購  價：M36P0R9060單價12美元，M36P0R9070單價14美元，M39P0R9070單價13美元。所有產(chǎn)品數(shù)據(jù)信息將在www.st.com網(wǎng)站上公布。