TSMC推出高整合度LED驅(qū)動集成電路工藝
TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝,將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/101464.htm此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍,可支持多種LED的應用,包括: LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等,且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代,并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇,適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘試制服務,支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
借著新工藝所提供的多項整合特色,可減少系統(tǒng)產(chǎn)品的物料清單。不只強固的高電壓DMOS提供MOSFET開關(guān)整合,降低零組件數(shù)目外,其他可被整合的零組件還包括:高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶硅齊納二極體(Zener diode)等,也可降低外部零組件數(shù),并顯著地縮小電路板的面積。
DMOS工藝支援專業(yè)集成電路制造中領(lǐng)先的汲極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如: 對一特定的60V NLDMOS 元件,當BV>80V 時,其Rdson 為 72 mohm- mm2 )以及其高電流驅(qū)動能力,可藉由元件尺寸的最佳化來提升功率效能;強固的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開關(guān)與驅(qū)動電路更為理想;更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考,使 IC 設(shè)計能達到最佳的芯片尺寸及設(shè)計預算。
在COMS方面,5伏特工作電壓能支持類比脈沖寬度調(diào)變器(Pulse Width Modulation controller)的設(shè)計,而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心,則通用于較高層次的數(shù)字整合。除此之外,與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項,亦可提供強化的數(shù)字程式設(shè)計使用。
TSMC工業(yè)電子開發(fā)處劉信生處長指出,就驅(qū)動元件整合來說,新的LED驅(qū)動IC之BCD工藝是非常尖端的技術(shù),其相關(guān)的工藝設(shè)計套件(PDKs)強調(diào)高度精準的SPICE模型,提供單芯片設(shè)計更多的方便性。除此之外,Mismatching Model可協(xié)助提升目前在多通道 LED驅(qū)動器設(shè)計上的精準度。
評論