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東芝開發(fā)新型電容器DRAM芯片

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作者: 時間:2005-12-13 來源: 收藏
   近日,日本公司已經(jīng)在一個SOI(絕緣體上外延硅)晶圓上制造出一款128MB無輸出DRAM芯片,正在對這款 芯片進行測試運作。 

  公司報告稱,去年二月份在最尖端半導體電路技術國際會議(ISSCC)上公司報告了無輸出DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出DRAM芯片。 

  無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應取代了電容器使用傳統(tǒng)的DRAM芯片儲存數(shù)據(jù)。除了東芝公司外,創(chuàng)新硅公司和瑞薩科技公司也宣布了無輸出電容器DRAM芯片的原型,它們早在2000年就開始研究浮體效應電池儲存器。 

  東芝公司SoC(系統(tǒng)芯片)研究開發(fā)中心技術部門AMD公司首席專家Takeshi Hamamoto表示,東芝公司開發(fā)的128MB儲存容量無輸出電容器DRAM芯片是目前新產(chǎn)品中儲存密度最大的產(chǎn)品。他說:“128MB儲存容量的科技價值是巨大的,它的設計和開發(fā)全部依賴于實際應用,如果有必要,在三年內(nèi)我們將能夠在LSI (大規(guī)模集成電路)中使用”。 

  東芝公司指出,無輸出電容器DRAM芯片是在六層金屬上采用90納米CMOS制造工藝制作的。電池尺寸為0.17平方微米,大約是傳統(tǒng)DRAM電池面積的一半。 

  在這款芯片的制作中,東芝公司工程師推出了部署版面與信號線、電源線等銅線最優(yōu)化的電池設計,這些銅線幫助芯片達到 了書寫時間為10 ns(毫微秒,時間單位等于1秒的10億分之一),讀取時間為20ns。 

  為了全部完成大規(guī)模集成電路的開發(fā),東芝公司還將繼續(xù)在惡劣的運作環(huán)境中對 芯片進行測試,進一步提高芯片的可靠性。


關鍵詞: 東芝 電容器

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