功率mosfet 文章進入功率mosfet技術(shù)社區(qū)

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交
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Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進行擴展，有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設(shè)計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設(shè)計流程，提高應(yīng)用的可靠性和功率
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英飛凌發(fā)布面向大眾市場應(yīng)用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率?MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場應(yīng)用的要求而設(shè)計，實現(xiàn)了高度的設(shè)計靈活性。適合的應(yīng)用包括工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS）、電機驅(qū)動器、電池供電應(yīng)用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進水平的小型頂側(cè)冷卻PowerPAK封裝的600 V E系列功率MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進水平的小型頂側(cè)冷卻PowerPAK?封裝的600 V E系列功率MOSFET
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P通道功率MOSFET及其應(yīng)用

Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P通道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P通道的簡易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P信道MOSFET易于驅(qū)動，具有設(shè)計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升成本效率。本文通過對N信道和P信道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
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推動汽車電子功率器件變革的新型應(yīng)用——功率MOSFET篇

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時，電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設(shè)計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件
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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET

中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反
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Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)
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Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強模式功率MOSFET

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設(shè)計可滿足汽車應(yīng)用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認證，這一特點使其成為汽車應(yīng)用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車行業(yè)嚴格的質(zhì)量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應(yīng)用性能
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啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議

韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長期供應(yīng)協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開關(guān)能力和高可靠性的，幾乎可以應(yīng)用于所有電子設(shè)備的典型的功率分立器件。市場調(diào)研公司OMDIA的數(shù)據(jù)表明，2022年功率分立器件的市場規(guī)模為212億美元，預(yù)計到2027年將達到284億美元，年復(fù)合增長率為6%。威世是全球領(lǐng)先的功率分立
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容

【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信
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東芝推出100V N溝道功率MOSFET,助力實現(xiàn)電源電路小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS?X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性
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東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。通過對柵極設(shè)計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降
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功率mosfet介紹

　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]

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