2002年11月,我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破 作者: 時(shí)間:2010-01-07 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 2002年11月,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶,實(shí)現(xiàn)了我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
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