新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 歷史上的今天 > 2002年11月,我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破

2002年11月,我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破

作者: 時(shí)間:2010-01-07 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
  2002年11月,中國(guó)科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣單晶,實(shí)現(xiàn)了我國(guó)直徑6英寸半絕緣單晶研制零的突破。

關(guān)鍵詞: 電子 砷化鎵

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉