你不一定知道的砷化鎵

何種半導(dǎo)體會被慣之以“貴族”呢？它有什么神秘之處呢？他有什么特性呢，它的制備方法、產(chǎn)業(yè)鏈又是如何呢？它的終端應(yīng)用產(chǎn)品市場分布怎么樣呢？文章接下來會以砷化鎵的材料屬性優(yōu)勢、制備工藝流程、具體應(yīng)用場景等等進行介紹，試希望梳理清楚關(guān)于砷化鎵的部分問題。文章部分數(shù)據(jù)作者根據(jù)官方公布數(shù)據(jù)進行了一定程度上的基礎(chǔ)處理，所有圖片來源均已注明來源。此外，文章的公司排名與公司實力無關(guān)，不帶有作者的主觀觀點，僅為一個介紹前后問題；同時，因作者資料有限，如有介紹不當之處，作者現(xiàn)在此表示歉意！望知悉。

砷化鎵是什么？

砷化鎵(GaAs)作為第二代半導(dǎo)體其價格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱。砷化鎵是當代國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。以砷化鎵為代表的第二代半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于制造高頻、高速、大功率、低噪聲、耐高溫、抗輻照等集成電路領(lǐng)域，已經(jīng)發(fā)展成為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)品”和“信息高速公路”關(guān)鍵技術(shù)，5G芯片市場非常好，產(chǎn)品供不應(yīng)求。砷化鎵(GaAs)是光電及手機網(wǎng)通高頻通訊不可或缺的元件，近幾年隨著物聯(lián)網(wǎng)(loT)、車聯(lián)網(wǎng)及Al(人工智慧)應(yīng)用激增，各國加速布建5G基礎(chǔ)建設(shè)，加上蘋果iPhoneX導(dǎo)入臉部辨識功能，帶動砷化鎵VCSEL及高階通訊元件需求大增。面對砷化鎵產(chǎn)業(yè)大商機，國內(nèi)外砷化鎵及光電廠無不傾全力搶進。以下為砷化鎵材料與其他半導(dǎo)體材料的屬性對比：

表一、砷化鎵材料與其他半導(dǎo)體材料的屬性對比

砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機、DVD計算機外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。它還被廣泛使用于軍事領(lǐng)域，是激光制導(dǎo)導(dǎo)彈的重要材料，曾在海灣戰(zhàn)爭中大顯神威，贏得“砷化鎵打敗鋼鐵”的美名。據(jù)悉，砷化鎵單晶片的價格大約相當于同尺寸硅單晶片的20至30倍。盡管價格不菲，目前國際上砷化鎵半導(dǎo)體的年銷售額仍在10億美元以上。在“十五”計劃中，我國將實現(xiàn)該產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，以占據(jù)國際市場。

砷化鎵的制造流程

砷化鎵，作為化合物半導(dǎo)體的一種，其生產(chǎn)流程與大多數(shù)化合物半導(dǎo)體碳化硅、磷化銦等相似，都包括多晶合成、單晶生長后再經(jīng)過切割、磨邊、研磨、拋光、清洗等多道工藝后真空封裝成品，其中多晶合成、單晶晶體生長是核心工藝。但是其也有自己的獨特之處，文章將詳細介紹單晶片以及襯底的特殊之處：

1. 砷化鎵單晶

砷化鎵單晶砷化鎵單晶的導(dǎo)帶為雙能谷結(jié)構(gòu)，其最低能谷位于第一布里淵區(qū)中心，電子有效質(zhì)量是0.068m0 (m0為電子質(zhì)量，見載流子)，次低能谷位于<111>方向的L點，較最低能谷約高出0.29eV，其電子有效質(zhì)量為0.55m0，價帶頂約位于布里淵區(qū)中心，價帶中輕空穴和重空穴的有效質(zhì)量分別為0.082m0和0.45m0。較純砷化鎵晶體的電子和空穴遷移率分別為8000cm/(V·s)和100～300cm/(V·s)，少數(shù)載流子壽命為10-2～10-3μs。在其中摻入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可獲得N型半導(dǎo)體，摻入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半導(dǎo)體，摻入Cr或提高純度可制成電阻率高達107～108Ω·cm的半絕緣材料。

制備GaAs單晶的方法有區(qū)熔法和液封直拉法。用擴散、離子注入、氣相或液相外延及蒸發(fā)等方法可制成PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、肖特基結(jié)和歐姆接觸等。近十余年來，由于分子束外延和金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)的發(fā)展，可在GaAs單晶襯底上制備異質(zhì)結(jié)和超晶格結(jié)構(gòu)，已用這些結(jié)構(gòu)制成了新型半導(dǎo)體器件如高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)及激光器等，為GaAs材料的應(yīng)用開發(fā)了更廣闊的前景。

2. 砷化鎵外延材料

外延材料的制備采用氣相沉積或液相沉積等方法，使鎵、砷源或其衍生物在以砷化鎵或其他材料為襯底的表面上生長砷化鎵或其他材料的單晶薄膜，統(tǒng)稱為砷化鎵外延材料。襯底和外延層如由同一種材料構(gòu)成的則稱為同質(zhì)結(jié)外延層，如由不同材料構(gòu)成則稱為異質(zhì)結(jié)外延層。外延材料可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)。砷化鎵的外延材料的制備方法與大眾化合物半導(dǎo)體相差無幾，主要有氣相外延法和液相外延法。氣相外延法：通過氣相輸運和氣相反應(yīng)來實現(xiàn)薄膜生長的一種工藝過程。通常采用氯化物法和氫化物法生長砷化鎵外延層，Ga-AsCl3-H2已成為氯化物法的代表工藝，其特點是易于實現(xiàn)高純生長。1970年美國麻省理工學(xué)院華爾夫(Walf)得到砷化鎵氣相外延層的電子濃度和電子遷移率為n77k＝7×1013cm-3和μ77k＝2.1×105cm/(V·s)；液相外延法：在一定溫度下的砷化鎵飽和溶液，通過降溫使溶液過飽和，則在砷化鎵襯底上按一定的晶向生長砷化鎵薄膜。據(jù)1969年的報道結(jié)果是：77K時的電子濃度和電子遷移率為n77k＝7.6×1012cm-3、μ77k＝1.75×105cm/(V·s)。

3. 綜合而言

對于單晶制備的方法對比，目前砷化鎵晶體主流生長工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主，F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主，而北京通美則以VGF法為主。目前國內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少，除北京通美外，廣東先導(dǎo)先進材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。

對于各種方法發(fā)的對比，文章有以下介紹：

①在單晶直徑上，目前 HB 法生長的單晶直徑最大一般是 3 英寸，LEC 法生長的單晶直徑最大可以到 12 英寸，但是使用 LEC 法生長單晶晶體設(shè)備投入成本高，且生長的晶體不均勻且位錯密度大。目前 VGF 法和 VB 法生長的單晶直徑最大可達8英寸，生長的晶體較為均勻且位錯密度較低；②在單晶質(zhì)量上，相較其他方法VGF法生長的晶體位錯密度低且生產(chǎn)效率穩(wěn)定；③在生產(chǎn)成本上，HB法的成本最低，LEC法的成本最高，VB法和VGF法生產(chǎn)的產(chǎn)品性能類似，但是VGF法取消了機械傳動結(jié)構(gòu)，能以更低成本穩(wěn)定生產(chǎn)單晶。下圖為國內(nèi)某公司與國家砷化鎵行業(yè)標準對比：

圖一、國內(nèi)某公司半絕緣砷化鎵與國際先進水平的對比

全球競爭格局

砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上游為砷化鎵晶體生長、襯底和外延片生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)。襯底是外延層半導(dǎo)體材料生長的基礎(chǔ)，在芯片中起到承載和固定的關(guān)鍵作用。生產(chǎn)砷化鎵襯底的原材料包括金屬鎵、砷等，由于自然界不存在天然的砷化鎵單晶，需要通過人工合成制備；砷化鎵襯底生產(chǎn)設(shè)備主要涉及晶體生長爐、研磨機、拋光機、切割機、檢測與測試設(shè)備等。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈下游應(yīng)用主要涉及5G通信、新一代顯示（Mini LED、Micro LED）、無人駕駛、人工智能、可穿戴設(shè)備等多個領(lǐng)域。

化合物半導(dǎo)體因為行業(yè)整體規(guī)模較小，非標準化程度高，以代工模式為主。歐美主導(dǎo)砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈，中國臺灣廠商壟斷代工。日本的住友、德國的Freiberger和美國的AXT三家合計約占全球半絕緣型襯底90%的市場份額。受襯底尺寸限制，目前的生產(chǎn)線以4英寸和6英寸晶圓為主，部分企業(yè)也開始導(dǎo)入8英寸產(chǎn)線，但還沒有形成主流。由于砷化鎵是以Emitterbase-Collector垂直結(jié)構(gòu)為主，晶體管數(shù)量只在百顆數(shù)量級；而硅晶圓是Source Gate Drain的平面設(shè)計，晶體管數(shù)量達到數(shù)千萬數(shù)量級，所以砷化鎵在制程研發(fā)上并沒有像硅晶圓代工行業(yè)那樣明顯的優(yōu)勢。

4、6 英寸半絕緣砷化鎵拋光片生產(chǎn)技術(shù)主要掌握在日本住友電工（Sumitomo Electric Industries）、德國費里伯格（Freiberger Compound Material）、美國 AXT 三個公司手中。這些公司的產(chǎn)品占據(jù)著砷化鎵市場的絕大部分份額。砷化鎵單晶生長技術(shù)也向成晶率高、成本低的VB/VGF單晶生長技術(shù)轉(zhuǎn)移。至2015年，6英寸襯底已占據(jù)市場份額90%以上。銷售的6英寸半絕緣砷化鎵產(chǎn)品的電阻率從107Ω·cm覆蓋到108Ω·cm，具有較高的晶體軸向和徑向電阻率均勻性。拋光片的加工幾何參數(shù)如TTV、Warp、LTV也很小。拋光片表面質(zhì)量狀態(tài)也優(yōu)良，如顆粒少，表面進行鈍化處理，產(chǎn)品的保存時間長。具體世界市場分布如下圖：

圖二、砷化鎵材料世界市場分布

注：圖片來源于北京通美招股書

砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈

圖三、砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈

注：圖片來源于北京通美招股書

全球砷化鎵襯底市場集中度較高，根據(jù)Yole統(tǒng)計，2019年全球砷化鎵襯底市場主要生產(chǎn)商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美，其中Freiberger占比 28%、Sumitomo占比21%、北京通美占比13%。目前砷化鎵晶體主流生長工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主，F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主，而北京通美則以VGF法為主。目前國內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少，除北京通美外，廣東先導(dǎo)先進材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。得益于下游應(yīng)用市場需求持續(xù)旺盛，砷化鎵襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴大。根據(jù)Yole測算，2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000萬片，預(yù)計到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3,500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為 2 億美元，預(yù)計到 2025 年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達到 3.48 億美元，2019-2025年復(fù)合增長率9.67%。

砷化鎵的用途

砷化鎵是當前主流的化合物半導(dǎo)體材料之一，其應(yīng)用可以分為三個階段。第一階段自20世紀60年代起，砷化鎵襯底開始應(yīng)用于LED及太陽能電池，并在隨后30年里主要應(yīng)用于航天領(lǐng)域。第二階段自20世紀90年代起，隨著移動設(shè)備的普及，砷化鎵襯底開始用于生產(chǎn)移動設(shè)備的射頻器件中。第三階段自2010年起，隨著LED以及智能手機的普及，砷化鎵襯底進入了規(guī)模化應(yīng)用階段，例如2017年，iPhone X首次引入了VCSEL用于面容識別，生產(chǎn) VCSEL 需要使用砷化鎵襯底，砷化鎵襯底應(yīng)用場景再次拓寬。2021年，隨著Apple、Samsung、LG、TCL等廠商加入Mini LED市場，砷化鎵襯底的市場需求將迎來爆發(fā)性增長。目前，砷化鎵襯底主要應(yīng)用下游器件包括射頻器件、LED、激光器。

（一）砷化鎵材質(zhì)的射頻器件應(yīng)用介紹

射頻器件是實現(xiàn)信號發(fā)送和接收的關(guān)鍵器件，射頻器件主要包括功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器等器件，其中，功率放大器是放大射頻信號的器件，其直接決定移動終端和基站的無線通信距離和信號質(zhì)量。由遷移率和高飽和電子速率的顯著優(yōu)勢，砷化鎵一直是制造射頻功率放大器的主流襯底材料之一。4G時代起，4G基站建設(shè)及智能手機持續(xù)普及，用于制造智能手機射頻器件的砷化鎵襯底需求量開始上升。進入5G時代之后，5G通信對功率、頻率、傳輸速度提出了更高的要求，使用砷化鎵襯底制造的射頻器件非常適合應(yīng)用于長距離、長通信時間的高頻電路中，因此，在5G時代的射頻器件中，砷化鎵的材料優(yōu)勢更加顯著。隨著5G基站建設(shè)的大量鋪開，將對砷化鎵襯底的需求帶來新的增長動力；與此同時，單部5G手機所使用的射頻器件數(shù)量將較4G手機大幅增加，也將帶來對砷化鎵襯底需求的增長。伴隨5G通信技術(shù)的快速發(fā)展與不斷推廣，5G基站建設(shè)以及5G手機的推廣將使砷化鎵基射頻器件穩(wěn)步增長。

手機中射頻（RF）器件的成本越來越高。一個4G全網(wǎng)通手機，前端RF套片的成本已達到8-10美元，含有10顆以上射頻芯片，包括2-3顆PA、2-4顆開關(guān)、6-10顆濾波器。未來隨著5G的到來，RF套片的成本很可能會超過手機主芯片。再加上物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)，勢必會將射頻器件的需求推向高潮。通常情況下，一部手機主板使用的射頻芯片占整個線路面板的30%-40%。據(jù)悉，一部iPhone 7僅射頻芯片的成本就高達24美元，有消息稱蘋果今年每部手機在射頻芯片上的投入將歷史性地超過30美元。隨著智能手機迭代加快，射頻芯片也將迎來一波高峰。

根據(jù)Yole預(yù)測，2025年全球射頻器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場銷量將超過965.70萬片，2019-2025年年均復(fù)合增長率為6.32%。2025年全球射頻器件砷化鎵襯底市場規(guī)模將超過9,800萬美元，2019-2025年年均復(fù)合增長率為 5.03%。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)分析，射頻器件銷售與市場規(guī)模預(yù)測如下：

圖四、射頻器件砷化鎵襯底銷量與市場規(guī)模預(yù)測

注：圖片來源于北京通美招股書

（二）砷化鎵材質(zhì)的LED應(yīng)用介紹

LED是由化合物半導(dǎo)體（砷化鎵、氮化鎵等）組成的固體發(fā)光器件，可將電能轉(zhuǎn)化為光能。不同材料制成的 LED 會發(fā)出不同波長、不同顏色的光，LED 按照發(fā)光顏色可分為單色 LED、全彩 LED 和白光 LED 等類型。LED 根據(jù)芯片尺寸可以區(qū)分為常規(guī) LED、Mini LED、Micro LED 等類型，其中常規(guī) LED 主要應(yīng)用于通用照明、戶外大顯示屏等，Mini LED、Micro LED 應(yīng)用于新一代顯示。Mini LED背光市場加速放量：在電視方面，2022年3月9日TCL發(fā)布三款Mini LED電視新品，并發(fā)布了新一代QD-Mini LED技術(shù)，除了TCL外，包括三星、索尼、LG等國際品牌，以及創(chuàng)維、小米、華為、海信等國產(chǎn)品牌，都持續(xù)研發(fā)并推出Mini LED背光電視。據(jù)LEDinside，2022年整體Mini LED背光電視出貨量將挑戰(zhàn)450萬臺，與2021年相比呈翻倍增長態(tài)勢。在筆電方面，根據(jù)Omdia最新調(diào)研顯示，2021年配備Mini LED背光的筆電面板出貨量達到450萬片，筆電滲透率激增至1.6%，2022年Mini LED筆電面板出貨量預(yù)計為990萬片，滲透率為3%。隨著Mini LED技術(shù)不斷成熟，良品率逐步提升，Mini LED背光成本正在每年下降15-20%，Mini LED已經(jīng)成為了當代主流顯示技術(shù)，滲透率有望加速提升。

Mini/Micro LED規(guī)?；瘧?yīng)用主要為兩個方向，一種是RGB直接顯示，使用Mini/Micro LED可以實現(xiàn)更小尺寸更高分辨率的顯示方案；另一種是使用Mini/Micro LED做為背光方案，應(yīng)用于TV、車載、筆記本電腦、顯示器等。其中，Mini LED背光技術(shù)能有效的提升液晶顯示器在對比度和能耗方面的短板；同時，背靠全球最成熟、最具規(guī)模優(yōu)勢的液晶顯示產(chǎn)業(yè)鏈，有望率先在消費市場得到大規(guī)模應(yīng)用普及?！癕ini LED直顯對技術(shù)要求更高，而且主要是超大屏需求，價格處于高位，消費群體比較有限。MiniLED背光模組可以應(yīng)用于電視、筆記本電腦、平板電腦、顯示器等，在增加部分成本的基礎(chǔ)上改善這些應(yīng)用的顯示效果，提升產(chǎn)品溢價空間，能更好地滿足消費者需求。

隨著LED照明普及率的不斷提高，常規(guī)LED芯片及器件的價格不斷走低。常規(guī)LED芯片尺寸為毫米級別，對砷化鎵襯底的技術(shù)要求相對較低，屬于砷化鎵襯底的低端需求市場，產(chǎn)品附加值較低，該等市場主要被境內(nèi)砷化鎵襯底企業(yè)占據(jù)，市場競爭激烈；而新一代顯示所使用的Mini LED 和 Micro LED芯片尺寸為亞毫米和微米級別，對砷化鎵襯底的技術(shù)要求很高，市場主要被全球第一梯隊廠商所占據(jù)。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)分析，LED器件銷售與市場規(guī)模預(yù)測如下：

圖五、LED器件砷化鎵襯底銷量與市場規(guī)模預(yù)測

注：圖片來源于北京通美招股書

根據(jù) Yole 預(yù)測，Mini LED 及 Micro LED 器件砷化鎵襯底的需求增長迅速，2025年全球 Mini LED 及 Micro LED 器件砷化鎵襯底（折合二英寸）市場銷量將從 2019年的 207.90 萬片增長至 613.80 萬片，年復(fù)合增長率為 19.77%；2019 年全球 Mini LED及 Micro LED 器件砷化鎵襯底市場規(guī)模約為 1,700 萬美元，預(yù)計到 2025 年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達到 7,000 萬美元，年復(fù)合增長率為26.60%。

圖六、1990—2030年LED增長預(yù)測圖

注：圖片來源于北京通美招股書

（三）砷化鎵材質(zhì)的激光器應(yīng)用介紹

激光器是使用受激輻射方式產(chǎn)生可見光或不可見光的一種器件，構(gòu)造復(fù)雜，技術(shù)壁壘較高，是由大量光學(xué)材料和元器件組成的綜合系統(tǒng)。利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點，使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、高擊穿電壓等特點，可用于人工智能、無人駕駛等應(yīng)用領(lǐng)域。根據(jù) Yole 預(yù)測，激光器是砷化鎵襯底未來五年最大的應(yīng)用增長點之一。預(yù)計到2025年，全球激光器砷化鎵襯底（折合二英寸）的市場銷量將從2019年的106.2萬片增長至330.3萬片，年復(fù)合增長率為20.82%；預(yù)計到2025年，全球激光器砷化鎵襯底市場容量將達到 6,100 萬美元，年復(fù)合增長率為 16.82%。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)分析，激光器器件銷售與市場規(guī)模預(yù)測如下：

圖七、2019-2025 年全球激光器器件砷化鎵襯底預(yù)計銷量和市場規(guī)模

注：圖片來源于北京通美招股書

在具體應(yīng)用方面，未來五年激光器砷化鎵襯底的需求增長主要由 VCSEL 的需求拉動。VCSEL是一種垂直于襯底面射出激光的半導(dǎo)體激光器，在應(yīng)用場景中，常常在襯底多方向同時排列多個激光器，從而形成并行光源，用于面容識別和全身識別，目前已在智能手機中得到了廣泛應(yīng)用。

VCSEL作為3D傳感技術(shù)的基礎(chǔ)傳感器，隨著 5G 通信技術(shù)和人工智能技術(shù)的發(fā)展，同時受益于物聯(lián)網(wǎng)傳感技術(shù)的廣泛應(yīng)用，VCSEL 的市場規(guī)模不斷增長，特別是以 VCSEL為發(fā)射源的 3D 立體照相機將會迎來高速發(fā)展期，3D 相機是一種能夠記錄立體信息并在圖像中顯示的照相機，可以記錄物體縱向尺寸、縱向位置以及縱向移動軌跡等。此外，VCSEL作為 3D 傳感器，在生物識別、智慧駕駛、機器人、智能家居、智慧電視、智能安防、3D建模、人臉識別和VR/AR等新興領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。

根據(jù)Yole預(yù)測，隨著3D傳感技術(shù)在各領(lǐng)域的深度應(yīng)用，VCSEL市場將持續(xù)快速發(fā)展，繼而加大砷化鎵襯底的需求。2019年，全球VCSEL器件砷化鎵襯底（折合二英寸）銷量約為93.89萬片，預(yù)計到 2025年將增長至299.32萬片，年復(fù)合增長率達到21.32%；2019年全球 VCSEL 器件砷化鎵襯底襯底市場規(guī)模約為2,100萬美元，預(yù)計到 2025 年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將超過5,600萬美元，年復(fù)合增長率為17.76%。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)分析，VCSEL市場砷化鎵器件銷售與市場規(guī)模預(yù)測如下：

圖八、VCSEL市場砷化鎵器件銷售與市場規(guī)模預(yù)測

注：圖片來源于北京通美招股書

半導(dǎo)體激光行業(yè)，目前的企業(yè)還很少，一般涉獵半導(dǎo)體激光行業(yè)的公司都是始終專注于半導(dǎo)體激光芯片的研發(fā)、設(shè)計及制造，它們的部分產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等，逐步實現(xiàn)高功率半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化。目前多家公司緊跟下游市場發(fā)展趨勢，不斷開發(fā)具有領(lǐng)先性的產(chǎn)品、創(chuàng)新優(yōu)化生產(chǎn)制造工藝、布局建設(shè)生產(chǎn)線，已形成由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的四大類、多系列產(chǎn)品矩陣，為半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直產(chǎn)業(yè)鏈公司。其中VCSEL系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、3D傳感與攝像、人臉識別與生物傳感等領(lǐng)域。