化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池07年量產(chǎn)
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該公司2005年底開始在宮崎縣田野町尾脅高新技術(shù)工業(yè)園區(qū)建設(shè)太陽(yáng)能電池量產(chǎn)廠,計(jì)劃2007年1月開工投產(chǎn)。年產(chǎn)量為20MW。由于目前主流的結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池原料——多晶硅材料日趨匱乏,因此今后準(zhǔn)備量產(chǎn)有望成為替代性能源的化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池。
發(fā)電層厚度為結(jié)晶硅型的1/50~1/100
“化合物半導(dǎo)體電池的發(fā)電層厚度為2μm,遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比結(jié)晶硅型的100~200μm薄得多。由于材料用量少,因此原料成本就便宜。”在“2005年生態(tài)產(chǎn)品展(時(shí)間:2005年12月15~17日,地點(diǎn):東京BigSight國(guó)際會(huì)展中心)”上,該公司研究開發(fā)部規(guī)劃管理科的西村隆雄強(qiáng)調(diào)說(shuō)。該公司在此次展會(huì)上展出了化合物半導(dǎo)體型“CIS太陽(yáng)能電池”。
該公司在獨(dú)立行政法人日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的委托研究基礎(chǔ)上,開發(fā)出了可提高CIS太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率以及用于量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)。原料為銅(Cu)、銦(In)、硒(Se),取每種材料的頭一個(gè)字母,將其命名為“CIS(Copper,Indium,Selenium)”。
轉(zhuǎn)換效率在量產(chǎn)之前將提高至12~13%
計(jì)劃量產(chǎn)的是30cm
評(píng)論