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IDC:2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢預(yù)測

作者: 時間:2024-12-17 來源:IDC 收藏

2025年市場將實現(xiàn)15%增長。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202412/465558.htm

根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司()“全球供應(yīng)鏈追蹤情報” 的最新研究表明,鑒于 2025 年全球人工智能(AI)與高性能運算(HPC)需求不斷攀升,從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,各個主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級的趨勢,產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象。

資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示:“在人工智能持續(xù)推動高階邏輯制程芯片需求,以及高價高帶寬內(nèi)存(HBM)滲透率提升的推動下,預(yù)計 2025 年整個半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、先進封裝等產(chǎn)業(yè),通過上下游之間的橫向與縱向合作,將會共同創(chuàng)造新一輪的增長機遇?!?/p>

預(yù)計2025年半導(dǎo)體市場將呈現(xiàn)以下八大趨勢:

1、2025 年半導(dǎo)體:AI 驅(qū)動的高速增長態(tài)勢仍將延續(xù)。

2025 年半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將增長 15%。在存儲領(lǐng)域,有望實現(xiàn)超過 24% 的增長,主要動力源于 AI 加速器所需搭配的 HBM3、HBM3e 等高端產(chǎn)品滲透率持續(xù)上升,以及新一代 HBM4 預(yù)計于 2025 年下半年推出所產(chǎn)生的帶動作用。非存儲領(lǐng)域則有望增長 13%,主要得益于采用先進制程芯片的需求旺盛,如 AI 服務(wù)器、高端手機芯片等,此外,成熟制程芯片市場也將在消費電子市場回溫的激勵下呈現(xiàn)積極表現(xiàn)。

2、亞太地區(qū) IC 設(shè)計市場行情升溫,2025 年有望再增長 15%。

亞太地區(qū)的 IC 設(shè)計企業(yè)產(chǎn)品線豐富多樣,應(yīng)用領(lǐng)域遍布全球,涵蓋智能手機應(yīng)用處理器(AP)、電視系統(tǒng)級芯片(SoC)、有機發(fā)光二極管顯示驅(qū)動芯片(OLED DDIC)、液晶顯示器觸控與顯示驅(qū)動集成芯片(LCD TDDI)、無線芯片(WiFi)、電源管理芯片(PMIC)、微控制器(MCU)、專用集成電路(ASIC)等必備芯片。隨著庫存水平基本得到控制、個人設(shè)備需求回暖,以及 AI 運算需求延伸至各類應(yīng)用從而帶動整體需求,預(yù)計 2025 年亞太地區(qū) IC 設(shè)計整體市場將持續(xù)增長,年增長率達 15%。

3、臺積電將繼續(xù)在晶圓代工 1.0 與晶圓代工 2.0 領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

在傳統(tǒng)晶圓代工 1.0 的定義下,臺積電的市場份額從 2023 年的 59% 穩(wěn)步上升,預(yù)計 2024 年將達到 64%,2025 年更是將擴大至 66%,遠遠超過三星、中芯國際、聯(lián)電等競爭對手。而在晶圓代工 2.0 定義中(包括晶圓代工、非內(nèi)存的集成器件制造商制造、封裝測試、光罩制作),2023 年臺積電的市場份額為 28%,但在 AI 驅(qū)動先進制程需求大幅提升的形勢下,預(yù)計其市場份額將在 2024 年和 2025 年快速攀升,彰顯在新舊產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)下的全方位競爭優(yōu)勢。

4、先進制程需求強勁,晶圓代工廠加速擴產(chǎn)。

先進制程(20 納米以下)在 AI 需求的推動下加速擴產(chǎn)。臺積電不僅在中國臺灣廠區(qū)持續(xù)建設(shè) 2 納米及 3 納米制程,其美國廠區(qū)的 4/5 納米制程也即將量產(chǎn)。三星憑借率先進入環(huán)繞柵極(GAA)時代的經(jīng)驗,在韓國華城打磨 2 納米制程。英特爾則在新戰(zhàn)略規(guī)劃下押注 18A 制程開發(fā),并將吸引更多外部客戶作為未來幾年的目標(biāo)??傮w來看,預(yù)計 2025 年晶圓制造產(chǎn)能將年增 7%,其中先進制程產(chǎn)能將年增 12%,平均產(chǎn)能利用率有望維持在 90% 以上的高位,由 AI 需求驅(qū)動引發(fā)的半導(dǎo)體繁榮景象持續(xù)推進。

5、成熟制程市場行情回溫,產(chǎn)能利用率將超 75%。

成熟與主流制程(22 納米 - 500 納米)應(yīng)用范圍廣泛,涵蓋消費電子、汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。展望 2025 年,預(yù)計在消費電子的帶動下,以及汽車與工業(yè)控制領(lǐng)域可能出現(xiàn)的零星庫存回補動力支持下,整體需求將持續(xù)回暖。8 英寸晶圓廠平均產(chǎn)能利用率有望從 2024 年的 70% 攀升至 75%,12 英寸成熟制程平均產(chǎn)能利用率也將提升至 76% 以上,預(yù)計 2025 年晶圓代工產(chǎn)能利用率平均提升 5 個百分點。

6、2025 年為 2 納米晶圓制造技術(shù)的關(guān)鍵之年。

2025 年將是 2 納米技術(shù)的關(guān)鍵時期,三大晶圓制造商都將進入 2 納米量產(chǎn)階段。臺積電致力于在新竹及高雄擴廠,預(yù)計下半年穩(wěn)步邁入量產(chǎn)。三星將遵循以往的一貫做法,預(yù)計比臺積電更早投入生產(chǎn)。英特爾則在戰(zhàn)略調(diào)整后,全力聚焦導(dǎo)入晶背供電(BSPDN)的 18A 制程。在 2 納米時代,三大廠商將面臨效能、功耗、體積、價格(PPAC)方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),包括芯片效能、功耗表現(xiàn)以及單位面積成本的整體優(yōu)化,尤其 2 納米制程將同步啟動智能手機應(yīng)用處理器、礦機芯片、AI 加速器等關(guān)鍵產(chǎn)品的量產(chǎn),屆時各家的良率提升速度與擴產(chǎn)節(jié)奏將成為市場關(guān)注焦點。

7、封測產(chǎn)業(yè)生態(tài)重塑,中國大陸市場份額將持續(xù)擴大,中國臺灣地區(qū) AI 封測優(yōu)勢提升。

在地緣政治的影響下,全球封測格局正在重新構(gòu)建。在中國半導(dǎo)體自主化政策的推動下,晶圓代工成熟制程產(chǎn)能快速增長,下游的外包半導(dǎo)體封裝測試(OSAT)產(chǎn)業(yè)也隨之?dāng)U張,正在形成完整的制造產(chǎn)業(yè)鏈。中國臺灣地區(qū)廠商在這種形勢下展現(xiàn)出另一方面的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,不僅加速在中國臺灣地區(qū)及東南亞布局產(chǎn)能,還深入鉆研 AI 芯片先進封裝技術(shù)。展望 2025 年,中國大陸封測市場份額將持續(xù)上升,中國臺灣地區(qū)廠商則鞏固在 AI 圖形處理器(GPU)等高端芯片的封裝優(yōu)勢。預(yù)計 2025 年整個封測產(chǎn)業(yè)將增長 9%。

8、先進封裝:扇出型面板級封裝(FOPLP)深入布局,CoWoS 產(chǎn)能倍增。

隨著半導(dǎo)體芯片功能與效能要求不斷提高,先進封裝技術(shù)愈發(fā)重要。在扇出型面板級封裝方面,從 2025 年起將快速發(fā)展,目前以玻璃Base制程為主,應(yīng)用于電源管理芯片、射頻芯片等小型芯片,預(yù)計經(jīng)過數(shù)年技術(shù)積累后有望進軍對封裝面積要求更大的 AI 芯片市場,并導(dǎo)入技術(shù)門檻更高的玻璃基底產(chǎn)品。此外,在英偉達(NVIDIA)、超威半導(dǎo)體(AMD)、亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)(AWS)、博通(Broadcom)與云端服務(wù)供應(yīng)商(CSP)等高性能運算客戶需求的推動下,臺積電的 CoWoS 產(chǎn)能持續(xù)倍增,目標(biāo)是從 2024 年的 33 萬片大幅擴充至 2025 年的 66 萬片,年增長 100%,其中以 CoWoS - L 產(chǎn)品線年增長 470% 為主要動力,而中國臺灣地區(qū)的設(shè)備供應(yīng)鏈,包括濕蝕刻、點膠等關(guān)鍵制程設(shè)備廠商,將在此次擴產(chǎn)浪潮中獲得更多發(fā)展機遇。

IDC 指出,2025 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持兩位數(shù)增長,但仍需應(yīng)對多種變量:地緣政治風(fēng)險、全球經(jīng)濟政策(包括產(chǎn)業(yè)補貼、貿(mào)易關(guān)稅、貨幣利率等)、終端市場需求以及新增產(chǎn)能帶來的供需變化,都是 2025 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)值得關(guān)注的重要方面。



關(guān)鍵詞: IDC 半導(dǎo)體

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