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設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器

作者: 時(shí)間:2010-04-15 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2) 預(yù)測開關(guān)頻率

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/108007.htm

  負(fù)載下降時(shí),控制器會改變谷底。問題在于如何才能預(yù)測負(fù)載變化時(shí)開關(guān)頻率怎樣變化。實(shí)際上,功率增加或減小時(shí),控制器用以改變谷底的反饋(FB)電平也不同,正是借此特性提供谷底鎖定。知道反饋電平閾值后,我們就能夠計(jì)算開關(guān)頻率的變化及相應(yīng)的輸出功率。通過手動計(jì)算或使用Mathcad電子表格,我們就可以解極出最大開關(guān)頻率。

  圖3:預(yù)測開關(guān)頻率。

  3) 時(shí)序電容值(Ct)計(jì)算

  在VCO模式下,開關(guān)頻率由時(shí)序電容(Ct)完成充電而設(shè)定,而Ct電容的充電完成受反饋環(huán)路控制。由準(zhǔn)諧振模式的第4個(gè)谷底向VCO模式過渡時(shí),輸出負(fù)載輕微下降。要計(jì)算Ct電容值,先要計(jì)算第4個(gè)谷底工作時(shí)的開關(guān)頻率,并可根據(jù)反饋電壓(VFB)與時(shí)序電容電壓(VCt)之間的關(guān)系計(jì)算出VCt的值為1.83 V。然后,根據(jù)等式Ct=ICtTsw,vco/1.83,可以計(jì)算出Ct的值為226 pF。我們實(shí)際選擇的的200 pF的Ct電容。

 



關(guān)鍵詞: 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI

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