克服放大器電氣過應(yīng)力問題(上)
EOS條件舉例
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/108100.htm● 例1,利用TINA軟件工具[1]和 OPA364[2]宏模型生成的圖4是使用低功耗OPA364 CMOS運(yùn)放的簡單跟隨器電路的例子。低頻信號VG1表示來自變送器輸出端的信號。該變送器遠(yuǎn)離放大器,有一條線纜(TL1)將它們連接起來。該電路中,周圍環(huán)境使線纜上出現(xiàn)了瞬態(tài)。
VG2是與變送器輸出信號(VG1)結(jié)合在一起的計劃外瞬態(tài)信號??傂盘栒穹隽朔糯笃鞯淖畲笠?guī)定輸入范圍。一個足夠強(qiáng)的瞬態(tài)信號將會觸發(fā)運(yùn)放輸入ESD電路。
位于該放大器非反相輸入端前面的電阻限制了產(chǎn)生輸入電流的大小。ESD單元設(shè)計旨在極短的時間內(nèi)安全地傳導(dǎo)數(shù)安培電流,該傳導(dǎo)持續(xù)時間不超過幾十到數(shù)百納秒。當(dāng)ESD單元在EOS事件期間激活時,電流傳導(dǎo)的時間取決于EOS脈沖或過壓特性。這些相同的ESD單元一般可持續(xù)處理5~10mA的電流,當(dāng)占空比下降時可持續(xù)處理的電流安培數(shù)會大大增加。在這些條件下,它們可能非常安全并且不受過壓的影響。
參考文獻(xiàn)
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