英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達成功率MOSFET兼容協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。

　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。

　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功率產(chǎn)品封裝標(biāo)準化中獲益，因為我們減少了市場上‘獨特’封裝的數(shù)量，同時還能提供比上代產(chǎn)品外形更小但性能提升的解決方案。”

　　飛兆半導(dǎo)體低壓產(chǎn)品高級副總裁John Bendel指出：“飛兆半導(dǎo)體和英飛凌實現(xiàn)了封裝引腳的標(biāo)準化，并在性能水平方面相輔相成，為滿足客戶在計算、電信和服務(wù)器市場的高效設(shè)計需求提供了雙重來源。封裝標(biāo)準化旨在為客戶提供采用多來源行業(yè)標(biāo)準封裝的性能領(lǐng)先產(chǎn)品。”