集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

　　飛兆半導(dǎo)體的高集成度DC-DC降壓調(diào)節(jié)器TinyBuck組合就是這樣的方案。該器件的輸入電壓范圍為3V 到 24V，輸出電流在3A 到 10A 之間。

　　新興集成式方案的優(yōu)勢

　　封裝優(yōu)化

　　利用這種集成式方案，可確定芯片規(guī)格以優(yōu)化內(nèi)部鍵合線，將封裝阻抗減至最小。并可確定MOSFET規(guī)格以優(yōu)化常用的12V輸入和低于3V的輸出，實(shí)現(xiàn)最佳效率。例如，在12V 輸入電壓和1.2V輸出電壓的設(shè)計(jì)限制條件下，高邊MOSFET的占空比要求達(dá)到10%(D=VOUT/VIN(1.2V/12V=10%))。

　　MOSFET優(yōu)化

　　高邊 (high side) 占空比如此之低，意味著該解決方案的高邊可以用較小的MOSFET(適當(dāng)?shù)牡蚎g)，低邊 (low side) 則將受益于大芯片尺寸，可把RDS(ON)降至最小，因?yàn)榈瓦厒鲗?dǎo)時(shí)間達(dá)90%。再加上低邊MOSFET硅片上集成式肖特基二極管的優(yōu)勢，可提高寄生二極管的快速恢復(fù)時(shí)間，進(jìn)一步提高效率。所有這些因素都有助于降低開關(guān)損耗和改善熱性能。

　　減小電路板和封裝的寄生效應(yīng)

　　在多芯片模塊中，通過讓控制器/驅(qū)動(dòng)器和MOSFET緊密地放置在一起，使寄生效應(yīng)最小化，從而減少開關(guān)噪聲/振鈴噪聲、縮短開關(guān)時(shí)間。

　　增強(qiáng)保護(hù)功能

　　這種新型電壓調(diào)節(jié)器提供了包括過熱/過流/過壓保護(hù)的一系列保護(hù)功能，大大提升了系統(tǒng)的價(jià)值。過去這些功能是通過分立式方案來獲得的，既增加成本又加大復(fù)雜性;而利用集成式方案，則無需外部組件就能輕松實(shí)現(xiàn)上述的保護(hù)功能。