IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

如圖所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。



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42# EEPW網(wǎng)友 說:2018-09-26 16:40
真牛逼
41# EEPW網(wǎng)友 說:2017-04-04 22:02
一般的igbt的開通和關(guān)斷時間是多長呢
40# 廣州華工科技 說:2016-10-21 16:38
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39# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:15
38# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:12
37# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:12
是大幅度發(fā)
36# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:08
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35# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:08
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34# EEPW網(wǎng)友 說:2016-07-13 14:08
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33# EEPW網(wǎng)友 說:2015-12-23 14:50
大聯(lián)大品佳-英飛凌一級代理 劉志平 QQ:185609588/Tel:18521067611
32# EEPW網(wǎng)友 說:2014-09-03 17:43
請問汽車級IGBT國際知名生產(chǎn)企業(yè)都有哪些?有知道的麻煩給說一下,謝謝!
31# 云端 說:2014-07-21 06:57
IGBT 管的好壞可以用萬用表來測量嗎?
30# soothmusic 說:2014-07-20 06:13
回答29# wyf86:
這個問題很難回答,有的30年以上
29# wyf86 說:2014-07-19 22:20
IGBT的壽命一般多長?
28# EEPW521 說:2014-06-20 07:06
回答27# eepwlover:
是的,設(shè)計的時候多注意。
27# eepwlover 說:2014-06-19 22:23
變頻器工作時,IGBT的開關(guān)動作會產(chǎn)生高頻干擾信號?
26# EEPW521 說:2014-06-18 22:10
回答25# eepwlover:
新能源汽車
25# eepwlover 說:2014-06-17 21:37
大功率IGBT的主要驅(qū)動力是什么?
24# 活詞典 說:2014-05-19 21:39
當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
23# EEPW網(wǎng)友 說:2014-04-21 16:08
基于icepak的igbt溫度場仿真應(yīng)該采用哪種igbt?
22# wyf86 說:2014-04-15 22:43
回答21# soothmusic:
通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通
21# soothmusic 說:2014-04-14 22:36
IGBT的開關(guān)作用是什么
20# EEPW網(wǎng)友 說:2014-04-13 00:15
很希望有IGBT的工藝流程
19# EEPW網(wǎng)友 說:2014-03-13 14:42
跪求適合傳熱分析的簡單的IGBT的模型?
18# wyf86 說:2014-03-12 20:10
IGBT在關(guān)閉期間仍承受著高電壓,且?guī)в袣堄嚯娏?,滋生不小的開關(guān)損耗。
17# EEPW網(wǎng)友 說:2014-03-04 13:39
基于有緣柵極控制的IGBT,其實(shí)IGBT就是柵極控制吧?沒什么特別含義吧?
16# wyf86 說:2014-02-17 21:48
回答15# soothmusic:
輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關(guān)系曲線
15# EEPW網(wǎng)友 說:2014-02-16 21:42
什么是IGBT的轉(zhuǎn)移特性?
14# 云端 說:2014-01-16 21:42
回答13# wyf86:
電流過大是一個原因
13# wyf86 說:2014-01-15 22:12
IGBT失效的原因是什么?
12# wyf86 說:2013-11-07 21:16
回答11# soothmusic:
可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)
11# soothmusic 說:2013-11-06 21:54
IGBT柵極/發(fā)射極阻抗大,應(yīng)該怎么觸發(fā)?
10# 活詞典 說:2013-10-05 22:31
回答9# 云端:
也就是IGBT的開關(guān)特性,等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
9# 云端 說:2013-10-04 21:13
IGBT漏源電壓與漏極電流的關(guān)系是怎樣的?
8# soothmusic 說:2013-09-30 21:54
回答7# eepwlover:
簡單來說,就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關(guān)系曲線。
7# eepwlover 說:2013-09-29 22:34
IGBT的轉(zhuǎn)移特性是什么?
6# 活詞典 說:2013-09-28 22:21
回答5# 云端:
Ugs 越高, Id 越大。
5# 云端 說:2013-09-27 23:36
選型IGBT,可以參考伏安特性曲線,Ugs與Id的關(guān)系是什么樣的?
4# soothmusic 說:2013-09-25 22:06
回答3# eepwlover:
它們都有高輸入阻抗特性。
3# eepwlover 說:2013-09-24 21:59
IGBT的輸入阻抗特性,與MOSFET一樣嗎?
2# liyidong 說:2013-09-23 13:01
IGBT的飽和壓降低,適合應(yīng)用在高壓大電流的場合,但是其工作頻率比MOSFET低。
1# 云端 說:2013-09-22 21:35
大功率開關(guān)電源中,使用IGBT作為開關(guān)管,比MOSFET好在哪里?
EEPW521回答:2013-09-23
IGBT的飽和壓低,且驅(qū)動功率小。MOSFET載流密度小些,導(dǎo)通壓降較大,開關(guān)速度要快,驅(qū)動功率卻很小。