Ramtron在2010年硅谷嵌入式系統(tǒng)大會(huì)上演示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器
Ramtron展示Gen2大存儲(chǔ)器無(wú)線集成電路
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/109668.htm世界頂尖的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布,在硅谷嵌入式系統(tǒng)大會(huì)(Embedded Systems Conference)上展示MaxArias™無(wú)線存儲(chǔ)器。該會(huì)議暨展覽會(huì)在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞的McEnery會(huì)議中心(McEnery Convention Center)舉辦。
在展會(huì)期間,Ramtron公司演示了其MaxArias產(chǎn)品系列的創(chuàng)新無(wú)線存儲(chǔ)器技術(shù)。Ramtron的MaxArias™系列無(wú)線存儲(chǔ)器將行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Gen2 RFID無(wú)線存取功能與其非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合,可讓亞洲乃至全世界的工程師使用高性能RF轉(zhuǎn)發(fā)器(transponder)集成電路來(lái)發(fā)送、捕獲和存儲(chǔ)更多信息,從而擴(kuò)大其系統(tǒng)的通信范圍和存儲(chǔ)器容量。
Ramtron公司的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器非常適合高價(jià)值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護(hù)記錄收集以及智能電表抄表等應(yīng)用。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器系列首批產(chǎn)品WM71004、WM71008和WM71016,其容量分別為 256/512/1024 x 16位,這些器件具有幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次),以及20年的數(shù)據(jù)保存期。就工作范圍、持續(xù)的存儲(chǔ)器訪問(wèn)帶寬及可靠性而言,MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有完全對(duì)稱的讀/寫距離,達(dá)到Gen-2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。
Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有超越傳統(tǒng)基于 EEPROM的RF ID產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),包括:
• 更高的射頻靈敏度:WM710xx能實(shí)現(xiàn)零功耗寫入運(yùn)作,因而在執(zhí)行寫入時(shí)不會(huì)影響功率或速度。
• 更大的工作范圍:使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有10米或更大范圍的對(duì)稱無(wú)線讀/寫功能
• 出色的寫入速度:MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器的速度較EEPROM快六倍,能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的寫入運(yùn)作,更快地存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù),免除基于EEPROM 的器件的“預(yù)備時(shí)間”(soak time)限制
• 區(qū)塊寫入完整性:Ramtron的SureWrite™ 特性可確保數(shù)據(jù)完整性,防止在全區(qū)塊寫入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞
• 磁場(chǎng)和伽瑪輻射耐受能力:由于F-RAM器件完全不受磁場(chǎng)的影響,并具有高伽瑪輻射耐受能力,MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應(yīng)用的理想選擇。
WM710xx MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍運(yùn)作(-40°C 至+85°C),并備有幾種配置,包括標(biāo)準(zhǔn)RoHS兼容6腳UDFN封裝、凸塊硅片、裸片,或經(jīng)全面測(cè)試的符合ISO-18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的電子標(biāo)簽。
要了解有關(guān) MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器的更多信息,可從以下網(wǎng)址獲取白皮書和數(shù)據(jù)表 www.ramtron.com/go/maxarias.
關(guān)于MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器解決方案
Ramtron的首個(gè)MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器系列結(jié)合了最高16-Kb的高性能非易失性F-RAM存儲(chǔ)器和EPC global Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),運(yùn)作頻率為860MHz 至 960MHz。結(jié)合優(yōu)化的天線設(shè)計(jì),MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以由射頻場(chǎng)感應(yīng)出的能量來(lái)供電。根據(jù)Gen-2標(biāo)準(zhǔn),MaxArias芯片可接收和處理通過(guò)RFID讀卡器傳輸?shù)闹噶睢?/p>
關(guān)于Ramtron International
Ramtron International 總部設(shè)在美國(guó)科羅拉多州Colorado Springs市,是專門設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷售專用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和集成半導(dǎo)體解決方案的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司,產(chǎn)品廣泛用于各種應(yīng)用和全球市場(chǎng)。要了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.ramtron.com 。要獲取300-dpi精度產(chǎn)品照片,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)頁(yè) www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (參見(jiàn)MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)產(chǎn)品)。
安全規(guī)避聲明
以下為依照美國(guó)私人證券法1995年修訂案規(guī)定而發(fā)出的“安全規(guī)避”聲明:本文中所有還不是歷史事實(shí)的聲明均為“前瞻性聲明”,這些“前瞻性聲明”可能涉及風(fēng)險(xiǎn)、不確定性和假設(shè),而實(shí)際的結(jié)果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預(yù)計(jì)結(jié)果出現(xiàn)重大的差異。具體的前瞻性聲明包括有關(guān)2010年第一季全面生產(chǎn)WM710xx無(wú)線存儲(chǔ)器產(chǎn)品的陳述。如要探討這些風(fēng)險(xiǎn),請(qǐng)參考Ramtron提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的文件。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的,Ramtron明確表示沒(méi)有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務(wù)或職責(zé)。
評(píng)論