英飛凌推出一款30V功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。

　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應(yīng)用、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。

　　出于成本和效率原因，整個行業(yè)都開始轉(zhuǎn)向溝槽設(shè)計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術(shù)相對于以往的技術(shù)，在通態(tài)電阻和柵電荷方面實現(xiàn)了大幅改進。這使得優(yōu)值系數(shù)(FoM=柵電荷x通態(tài)電阻)達到業(yè)界最低水平。此外，英飛凌創(chuàng)新的大電流“Powerbond”技術(shù)可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態(tài)電阻的降幅，并增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。最新的Powerbond技術(shù)可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線，使標(biāo)準(zhǔn)封裝器件具備180A的額定電流。

　　OptiMOS-T2技術(shù)和結(jié)實耐用的封裝經(jīng)過精心設(shè)計，能夠在MSL1 (1級潮濕度)條件下，承受回流焊接過程中的260 °C高溫，并且采用無鉛電鍍，以符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會(AEC-Q101)的規(guī)范要求。英飛凌先進的溝槽技術(shù)具備低柵電荷、低電容、低開關(guān)損耗和出色的優(yōu)值系數(shù)，可使電機效率達到新高，同時最大限度降低EMC輻射。此外，優(yōu)化的柵電荷可確保更小的驅(qū)動輸出級。

　　IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯(lián)MOSFET的大電流應(yīng)用(超過500A)的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流系統(tǒng)所需的并聯(lián)MOSFET減少一半，從而優(yōu)化電流共享、熱性能和成本。由于汽車電機逐步轉(zhuǎn)向脈寬調(diào)制(PWM)控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。

　　英飛凌公司標(biāo)準(zhǔn)汽車功率產(chǎn)品營銷總監(jiān)Torsten Blanke博士指出：“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術(shù)的廣泛汽車MOSFET產(chǎn)品組合。這些器件都采用結(jié)實耐用的封裝，具備出類拔萃的性能和品質(zhì)。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件，英飛凌再次在最大電流(采用標(biāo)準(zhǔn)封裝)和最低通態(tài)電阻(采用溝槽技術(shù))方面樹立了行業(yè)標(biāo)桿。”

　　供貨情況

　　具備180A漏極電流和僅0.9m?通態(tài)電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。此外，英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A (IPB180N03S4L-01)。該器件在10V柵源電壓條件下，具備1.05毫歐的通態(tài)電阻，適用于十分注重成本的應(yīng)用。這兩款高功率MOSFET均采用標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK-7封裝。