半導(dǎo)體增長(zhǎng)強(qiáng)勁 iSuppli再次調(diào)高2010年預(yù)測(cè)

　　強(qiáng)健的芯片推動(dòng)價(jià)格上升

　　顯然半導(dǎo)體銷售額的增長(zhǎng)大大超過終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)的增長(zhǎng)，原因有許多，其中之一是芯片價(jià)格。

　　Ford表示，由于半導(dǎo)體庫(kù)存的精確管理及芯片制造產(chǎn)能的合理控制，導(dǎo)致總體上芯片市場(chǎng)供不應(yīng)求。為此不少芯片的價(jià)格波動(dòng)范圍很大。

　　而且，由于無論芯片以及系統(tǒng)，大量采用創(chuàng)新的技術(shù)，使得電子產(chǎn)品中芯片總含量的提高及價(jià)格上升。

　　緊接著2009年的庫(kù)存削減與成本下降，推動(dòng)2010年電子產(chǎn)品在整個(gè)供應(yīng)鏈?zhǔn)袌?chǎng)的迅速擴(kuò)大，包括半導(dǎo)體市場(chǎng)的增強(qiáng)。

　　與泡沫說再見

　　當(dāng)2010年的增長(zhǎng)與2000年相比時(shí)，要清楚此波周期的性質(zhì)與2000年時(shí)有明顯的不同，這是十分重要的。2000年的增長(zhǎng)是由于1999年的產(chǎn)能迅速擴(kuò)充以及不能持久的網(wǎng)絡(luò)泡沫增長(zhǎng)來推動(dòng)，所以2001年泡沫破裂，導(dǎo)致半導(dǎo)體業(yè)下降28.6%。相比2010年的增長(zhǎng)是由于受2009年的外力突然打擊，產(chǎn)業(yè)自身增長(zhǎng)的動(dòng)力暫時(shí)被壓抑，因而在2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能迅速回復(fù)，包括在2011年能繼續(xù)增長(zhǎng)。

　　不可能兩次探底

　　Ford認(rèn)為，在上個(gè)月聽到的最多詞匯是全球經(jīng)濟(jì)及半導(dǎo)體業(yè)可能進(jìn)入兩次探底 (double dip)。由于近期半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)超出業(yè)界的預(yù)期，因而有些理性的思考者擔(dān)心市場(chǎng)的持久性是可以理解的，但是，iSuppli并不認(rèn)同兩次探底的說法，并認(rèn)為自2010下半年開始全球半導(dǎo)體業(yè)將回到正常增長(zhǎng)的軌道中來。2011年仍有7%的增長(zhǎng)。

　　今年Q2半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增長(zhǎng)8，2%，可能是此波周期的峰值。預(yù)期Q3增長(zhǎng)為6.7%及Q4為0.4%。

　　iSuppli表示，到2011年Q1之前半導(dǎo)體業(yè)有連續(xù)7個(gè)季度的增長(zhǎng)，這是1991到1995期間有連續(xù)19個(gè)季度增長(zhǎng)的又一次最長(zhǎng)的連續(xù)季度增長(zhǎng)。

　　下表是自1998年至2014年的半導(dǎo)體年銷售額與增加值及增長(zhǎng)率的數(shù)據(jù)，包括預(yù)測(cè);

　　強(qiáng)勁的存儲(chǔ)器

　　觀察在2010年特定類半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，存儲(chǔ)器將是增長(zhǎng)最快的類別。

　　DRAM銷售額增長(zhǎng)大于86%，NAND有望超過33%，因此今年總存儲(chǔ)器的增長(zhǎng)將達(dá)到56%。

　　其它如微型元件，Logic，Analog，分立器件與光電傳感器等在2010年中增長(zhǎng)也超過25%。

　　其它在2010年大幅增長(zhǎng)的還有LED，可編程邏輯(PLD)，通用模擬電路與分立器件。在2010年中NOR閃存是很少未能達(dá)到兩位數(shù)增長(zhǎng)的類別之一。