恩智浦的150MHzLPC1800MCU具有業(yè)界最高的ARM Cortex-M3性能
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出業(yè)界最高性能的ARM® Cortex™-M3微控制器。LPC1800的低功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)使其在極低頻率到150Mhz范圍內(nèi)最大發(fā)揮Flash或RAM的性能。此性能為大量要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供了最大的連接和帶寬選擇。靈活的雙單元256位寬Flash存儲(chǔ)器支持并行讀、寫(xiě)操作,可保存“黃金副本”,防止重新編程中出現(xiàn)失誤,也可以簡(jiǎn)單地作為單存儲(chǔ)單元使用。LPC1800也支持兩種最新外設(shè):靈活四路SPI接口和可配置定時(shí)器子系統(tǒng)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/112906.htm恩智浦半導(dǎo)體副總裁、微控制器產(chǎn)品線總經(jīng)理Geoff Lees表示,“LPC1800為ARM Cortex-M3微控制器樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。恩智浦在可靠的高性能存儲(chǔ)器架構(gòu)和系統(tǒng)外設(shè)上的不斷創(chuàng)新,造就了與眾不同的LPC1800。”
恩智浦90nm工藝帶來(lái)低功耗高性能的大容量存儲(chǔ)器
LPC1800采用恩智浦的超低漏電流90nm工藝技術(shù)設(shè)計(jì),具有運(yùn)行速度更快、動(dòng)態(tài)功耗更低的特點(diǎn),獨(dú)有的低漏電流優(yōu)化將待機(jī)模式下的漏電流降低10至100倍。LPC1800為Cortex-M3提供業(yè)界最大的片內(nèi)SRAM,多單元最高可達(dá)200KB,每個(gè)單元都有獨(dú)立總線訪問(wèn),具有更高吞吐量,可分別進(jìn)行關(guān)斷控制進(jìn)入低功耗工作模式。雙單元1MB Flash架構(gòu)提供最可靠的應(yīng)用中重新編程,支持無(wú)停頓的Flash操作。
無(wú)縫高速四路SPI接口和可配置定時(shí)器子系統(tǒng)
利用四路SPI架構(gòu)在新型串行Flash存儲(chǔ)器中迅速采用的優(yōu)勢(shì),恩智浦首次推出無(wú)縫高速接口,可與幾乎所有SPI和四路SPI廠商實(shí)現(xiàn)連接。高速接口與四通道SPI存儲(chǔ)器連接時(shí),每個(gè)通道的速率可達(dá)80 Mbps,其片外數(shù)據(jù)和代碼執(zhí)行速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出片內(nèi)存儲(chǔ)器。
LPC1800可配置定時(shí)器子系統(tǒng)包括帶狀態(tài)機(jī)的定時(shí)器陣列,支持多種復(fù)雜功能,包括事件控制的PWM波形生成、ADC同步和死區(qū)時(shí)間控制。此定時(shí)器子系統(tǒng)為嵌入式設(shè)計(jì)者增加了靈活性,能為電源轉(zhuǎn)換、照明和電機(jī)應(yīng)用等的多種應(yīng)用創(chuàng)建用戶定義的波形和控制信號(hào)。
LPC1800的其他外設(shè)包括兩個(gè)HS USB控制器、片內(nèi)HS PHY、支持硬件TCP/IP校驗(yàn)和計(jì)算的10/100T以太網(wǎng)控制器、高分辨率彩色LCD控制器和AES解密算法(其中包含兩個(gè)用于存儲(chǔ)密鑰的128位安全OTP存儲(chǔ)器)。AES加密算法的不同版本可按需提供。
LPC1800標(biāo)準(zhǔn)特性
該系列所有產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)特性包括含有啟動(dòng)代碼和片內(nèi)軟件驅(qū)動(dòng)的32 KB ROM、8通道通用DMA (GPDMA)控制器,兩個(gè)10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器和一個(gè)10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(轉(zhuǎn)換采樣速率為400k/s)、馬達(dá)控制PWM和正交編碼器接口、4個(gè)UART、2個(gè)快速模式I2C、I2S、2個(gè)SSP/SPI、智能卡接口、4個(gè)定時(shí)器、窗口看門(mén)狗定時(shí)器、報(bào)警定時(shí)器、具有256字節(jié)電池供電備份寄存器的超低功耗RTC以及最多80個(gè)通用I/O引腳。
評(píng)論