VISHAY高速轉(zhuǎn)換器工作頻率達(dá)1MHZ

　Vishay Intertechnology宣布推出兩款新型高速轉(zhuǎn)換器解決方案，這兩款器件將控制 MOSFET、同步 MOSFET 及驅(qū)動(dòng)電路整合到了一個(gè)超薄的高性能 PowerPAK® MLF 10x10 封裝中。這兩款新型產(chǎn)品簡(jiǎn)化了單相及多相直流到直流設(shè)計(jì)流程，并且提供了比分立解決方案高 3% 的效率。 

　　它們主要面向服務(wù)器、路由器、負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器以及 3.3V、5V 及 12V 中間總線架構(gòu)環(huán)境，這兩款新型器件不僅節(jié)省了板面空間及能耗，而且在較小的占位面積上實(shí)現(xiàn)了更高的額定功率。MOSFET 與驅(qū)動(dòng)器的整合有助于將可在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生振鈴及峰值的寄生漏感降至最低。   

　　SiC714CD10 及 SiC711CD10 可與任何 PWM IC 或 ASIC 配合使用，以生產(chǎn)出高效的降壓轉(zhuǎn)換器。低端 MOSFET 控制引腳可實(shí)現(xiàn)預(yù)先偏壓的啟動(dòng)，從而防止來(lái)自預(yù)充電輸出電容的不良吸收電流導(dǎo)致故障，在 POL 及服務(wù)器應(yīng)用中尤為如此。 

　　額定輸入電壓介于 3.3V～16V 的新型 SiC714CD10 可在靜止空氣中提供 27A 的持續(xù)輸出電流，并且專為實(shí)現(xiàn) 10% 的占空比而進(jìn)行了優(yōu)化。其低端 MOSFET 的典型導(dǎo)通電阻值為 3mW，高端 MOSFET 為 10.2mW。 

　　Vishay SiC711CD10 的額定輸入電壓介于 3.3V～16V，占空比為 40%，該器件可提供高達(dá) 25A 的持續(xù)輸出電流。其高端與低端 MOSFET 的典型導(dǎo)通電阻值均為 4mW。 

　　這兩款器件均針對(duì) 12V 到邏輯電平轉(zhuǎn)換進(jìn)行了優(yōu)化，并且額定開(kāi)關(guān)頻率范圍介于 100kHz～ 1MHz 以上。它們的 PowerPAK MLF 10x10 封裝具有較低的熱阻，而且該封裝的簡(jiǎn)單襯墊幾何結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)直接的板布局及裝配。 

　　先斷后接的工作方式提供了抗“穿透性”，并且可將停滯時(shí)間縮減至最短。這兩款器件還具有欠壓鎖定及開(kāi)／關(guān)功能。內(nèi)置自舉二極管進(jìn)一步減少了所需的外部元件數(shù)。 

　　目前，具有整合驅(qū)動(dòng)器的這兩款新型快速轉(zhuǎn)換 MOSFET 的樣品及量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為 12 周。