尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。 

　　這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。 

　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部液浸）”的自主技術(shù)已經(jīng)得到解決。另外，還利用“Random Stage”技術(shù)提高了吞吐量。 

　　該設(shè)備原計劃2005年底至2006年初開始供貨，因此看來開發(fā)工作基本上是按計劃進(jìn)行的。所供應(yīng)的設(shè)備正在安裝調(diào)試。而荷蘭ASML則計劃2006年第2季度供應(yīng)NA1.2的曝光設(shè)備，可以想象競爭將會非常激烈。