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飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出高性能柵極驅(qū)動光耦合器產(chǎn)品

—— 新產(chǎn)品功耗更低、開關(guān)速度更快
作者: 時間:2010-11-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  為了滿足全球各地的能效標準要求,太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動。公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動產(chǎn)品。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅(qū)動,相比常用的FOD3120柵極驅(qū)動器,新器件的傳輸遲延時間縮短了50%,功耗降低了13%。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/114929.htm

  由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學(xué)方式耦合構(gòu)成,PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON),能夠降低內(nèi)部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力,最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs,適合嘈雜的工業(yè)應(yīng)用。

  還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流,并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅(qū)動IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。

  FOD3184采用8腳雙列直插封裝,提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙,可配合安全機構(gòu)至關(guān)重要的終端應(yīng)用要求。此外,封裝符合無鉛焊接標準對260ºC回流焊工藝的要求,F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM),能夠驅(qū)動1,200V負載,并保持長期可靠的隔離性能。

  FOD3184是提供同級最佳抗噪能力、更快開關(guān)速度和更高功效的全面廣泛的高性能產(chǎn)品系列的成員。將開發(fā)更多同類型解決方案,以推動工程師的設(shè)計創(chuàng)新。



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