德州儀器PowerStack封裝技術投入量產
—— 新技術以獨一無二的堆棧方法將組合封裝技術推向新的高度,可為電源設計人員帶來 2D 到 3D 集成
TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出:“為實現寬帶移動視頻與 4G 通信等更多內容,計算應用的性能需求不斷提升。與此同時,也出現了電信與計算設備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命,PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求。”
PowerStack 技術的優(yōu)勢是通過創(chuàng)新型封裝方法實現的,即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFET(TM) 功率 MOSFET,并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨特組合可實現更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。
通過 PowerStack 技術堆棧 MOSFET,最明顯的優(yōu)勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%。除降低板級空間之外,PowerStack 封裝技術還可為電源管理器件提供優(yōu)異的熱性能、更高的電流性能與效率。
TechSearch 國際創(chuàng)始人兼總裁 Jan Vardaman 表示:“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術,3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強,該技術將是解決各種當前及新一代設計挑戰(zhàn)的理想選擇。”
PowerStack 現已在 TI Clark 廠投入量產。
TI 菲律賓公司總經理 Bing Viera 指出:“Clark 是我們位于菲律賓的、業(yè)界一流的最新封測廠。今年,我們將進一步提升 Clark 高級封裝技術的產能,到第三季度該廠初期產能將提高近 1 倍。”
通過領先封裝技術推進模擬發(fā)展
PowerStack 封裝技術再次凸顯了 TI 在封裝領域的創(chuàng)新技術,其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應用實現更進一步的發(fā)展。TI 擁有數十年的豐富封裝專業(yè)技術經驗,可為成千上萬種豐富產品、封裝配置與技術提供支持,從而可為模擬市場提供最豐富的封裝組合。
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