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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達(dá)世界先進(jìn)水平

—— 市場反映良好已經(jīng)批量替代進(jìn)口產(chǎn)品
作者: 時(shí)間:2011-10-28 來源:半導(dǎo)體制造 收藏

  具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管(FRED)芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、國家電力電子產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中科院半導(dǎo)體所、清華大學(xué)、浙江大學(xué)、電子科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)和西安工程大學(xué)等部門的專家鑒定;部分重點(diǎn)用戶代表也參加了本次鑒定會(huì)。與會(huì)專家一致認(rèn)為:“75A-100A/1200V-1700V NPT IGBT芯片”達(dá)到國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平,其中1200V產(chǎn)品的部分主要性能指標(biāo)超過國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平;“2A-200A/200V-1200V超快軟恢復(fù)外延型二極管芯片”性能指標(biāo)達(dá)到國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),市場反映良好,已經(jīng)批量替代進(jìn)口產(chǎn)品。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/125157.htm

  具有國際先進(jìn)水平的國產(chǎn)系列高壓大電流電力半導(dǎo)體NPT IGBT和的研制成功,將我國IGBT和FRED的研發(fā)和生產(chǎn)水平提高到了一個(gè)新的高度,是我國在IGBT 和產(chǎn)業(yè)化方面邁出的重要一步。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于國防、民用工業(yè),醫(yī)學(xué)、交通及新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。大大減少了我國電力電子系統(tǒng)與裝置對(duì)國外產(chǎn)品的依賴性。減少系統(tǒng)與裝置的成本,增加產(chǎn)品在國內(nèi)外市場的競爭性。有助于電力電子產(chǎn)品這一綠色節(jié)能器件在我國不同行業(yè)、不同區(qū)域的推廣應(yīng)用。有助于推動(dòng)我國傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代和減少工業(yè)污染,提高電能和其它資源的使用效率。



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