晶電紅光芯片效率達到200 lm/W

　　以高效率紅光芯片混光(Direct-Red platform)是LED暖白光照明應用的重要技術之一。這個技術提供LED照明燈更好的發(fā)光效率、更佳的演色性(CRI)，以及更具競爭力的性價比 (流明/美元，lm/$)。

　　芯片光電致力于四元紅光低壓(2V)芯片與高壓(HV)芯片效率提升，相較于使用紅色螢光粉轉換形成暖白色調之技術(Phosphor Red platform)，芯片光電四元芯片技術可提供更高效率及更低成本之解決方案。EPISTAR LAB最新的實驗室數據報告，小尺寸(355μm2)紅光低壓2V芯片在6 mA下操作，其發(fā)光波長609nm (Wd)可達成200 lm/W之高效率，在一般20mA操作電流下，效率也可達184 lm/W。

　　要達到如此絕佳的效率，EPISTAR LAB開發(fā)出多項技術，其中包括透明基板轉換制程、減少量子井光線吸收、增加光子萃取率的細微結構與提高電流分布均勻度等。同樣的技術也應用在紅光高壓(HV)芯片，數據報告高壓(HV)芯片在6 mA下操作可達到186 lm/W，一般20mA操作電流下，則可達到174lm/W，此時電壓值為18.5伏特。超高效率紅光高壓(HV)芯片適合應用在2W~10W具有光引擎?zhèn)I限空間的LED燈具，例如GU10以及燈泡。

　　芯片光電將持續(xù)開發(fā)更先進之芯片技術，并與客戶緊密合作，提供市場更佳之照明解決方案。