剖開方能知根底 國產(chǎn)旗艦平板拆解對比
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內(nèi)存對比
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/126269.htm
SmartQ 智器 T10 主板走線
SmartQ 智器 T10 SCSemicon華芯半導體DDR2內(nèi)存顆粒(共512MB)
艾諾 NOVO8 領(lǐng)先版 主板走線
艾諾 NOVO8 領(lǐng)先版 Hynix DDR2內(nèi)存芯片 4顆共512MB
左側(cè)的兩枚三星芯片是臺電T760的內(nèi)存芯片，規(guī)格為512MB DDR3
SmartQ智器T10采用SCSemicon華芯半導體DDR2內(nèi)存顆粒，共512MB;艾諾NOVO8領(lǐng)先版采用Hynix DDR2內(nèi)存芯片，4顆共512MB;臺電T760采用兩枚三星DDR3內(nèi)存芯片，規(guī)格為512MB。
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