2012年LTPS及IGZO面板將迅速成長150%

　　據(jù)NPD DisplaySearch 智能手機和平板電腦爆發(fā)式成長，使得LTPS(low temperature polysilicon低溫多晶硅技術(shù))和IGZO(indium gallium zinc oxide組成的非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體技術(shù))等生產(chǎn)高分辨率顯示器技術(shù)更為重要。這些TFT技術(shù)采用高移動速率半導(dǎo)體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。分辨率超過每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如蘋果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可攜式設(shè)備可長時間使用而不用充電。

　　根據(jù)NPD DisplaySearch TFT LCD制程技術(shù)藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)指出，2012年高移動速率TFT-LCD背板產(chǎn)量預(yù)計將提高150%，從2011年的560萬平方米迅速發(fā)展到1千410萬平方米。如此高成長的驅(qū)動力主要在于許多五代線和更大的低溫多晶硅(LTPS)產(chǎn)線于2012年開始投入生產(chǎn)，且夏普、樂金顯示和三星現(xiàn)有的產(chǎn)線也投入生產(chǎn)金屬氧化物(IGZO)。

　　“智能手機、平板電腦和成本降低將成為2012年平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力。”NPD DisplaySearch制造領(lǐng)域研究副總Charles Annis表示，“由于平板顯示獲利壓力大，面板廠商轉(zhuǎn)而投入快速發(fā)展的可攜式應(yīng)用，并積極尋求各種可降低成本的策略。因此，采用高移動速度材料背板、光配向(optical alignment)、高分辨率曝光技術(shù)(high resolution lithography)和先進的液晶模塊組合預(yù)計將在明年成為最重要的生產(chǎn)技術(shù)。”

　　所有的技術(shù)都在于如何提高面板的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能夠穿過到前端顯示屏，為達亮度指標會因此要求高強度的光源;另外，背光模組是大尺寸液晶模塊中成本占比較高的單一組件。因此，通過提高光穿透率，面板商就可以降低能耗和成本。

　　“廠商們期待真正好的新技術(shù)是能夠提高光穿透率同時不降低良率。面板商和其供應(yīng)商都在努力開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)，力爭取得競爭優(yōu)勢以提高2012年利潤。”Annis補充到，“目前看來，像金屬氧化物(IGZO)這樣的技術(shù)，一方面可提高面板性能一方面可降低成本，將使面板商獲取高度競爭優(yōu)勢，將有機會成為未來平板顯示產(chǎn)業(yè)制造新標準。”

　　NPD DisplaySearch新出版TFT LCD制程技術(shù)藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)，報告針對FPD新進生產(chǎn)技術(shù)做了獨到且深入的分析。報告按制造工藝流程進行技術(shù)探討，分析工序流程和制造商采用新技術(shù)現(xiàn)狀，對57種生產(chǎn)技術(shù)未來的應(yīng)用進行預(yù)測并分析相應(yīng)的優(yōu)點、機會與挑戰(zhàn)等。同時報告對目前到2016年液晶顯示器的性能指標也做了分析預(yù)測。