RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技術(shù)改進

　　日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號：RFMD)宣布，其將繼續(xù)努力，實現(xiàn) RF 功率管理性能方面改進的新里程碑。RF Micro Devices 正在開發(fā)基于平均功率跟蹤- (APT-) 和包膜跟蹤- (ET-) 的解決方案，這些解決方案將利用 RFMD 在功率放大器、RF 功率管理和復合半導體方面的領(lǐng)導地位來實現(xiàn)有突破性的性能。

　　RFMD 是 RF 功率管理方面的領(lǐng)導者，目前已銷售出數(shù)千萬個電源管理集成電路 (PMIC)，其中大部分在 RFMD 的革命性 PowerSmart® 功率平臺上的 RF Configurable Power Core™ 架構(gòu)內(nèi)。RFMD 也是 RF 功率控制方面的先驅(qū)，目前已銷售出幾億個具有集成功率控制功能的功率放大器(RFMD 的 PowerStar® 功率放大器和發(fā)射模塊)。RFMD 預計，包膜跟蹤技術(shù)與 RFMD的超級砷化鎵器件及技術(shù)的結(jié)合是一個顛覆性的整合，將大大提高 RF 性能的標準。

　　RFMD 蜂窩產(chǎn)品組 (CPG) 總裁 Eric Creviston 說：“RFMD 在 RF 功率管理的技術(shù)研發(fā)方面處于領(lǐng)先地位。我們熱衷于實現(xiàn)基于 APT 和 ET 的解決方案。我們相信，功率管理技術(shù)(如平均功率跟蹤和包膜跟蹤)在智能手機中的重要性將不斷提升，這將使 RFMD 能夠充分利用我們在功率放大器和 RF 功率管理方面的綜合領(lǐng)導地位、并增加擴展我們 RF 產(chǎn)品份量的機會。”