中國氧化物TFT背板技術(shù)在京東方結(jié)碩

　　中國大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發(fā)成功，同時，相關(guān)工藝技術(shù)及設(shè)計開發(fā)也已完成。這標志著我國氧化物TFT背板技術(shù)研制已經(jīng)達到業(yè)界先進水平，也將進一步推動我國在AMOLED等新型顯示產(chǎn)品的研制進程。

　　氧化物TFT即Oxide TFT背板技術(shù)，是與傳統(tǒng)a-Si TFT制程相近的背板技術(shù)，它將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體(現(xiàn)在應用最廣泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物)來形成TFT 半導體層。

　　氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于低溫多晶硅TFT制造領(lǐng)域具有設(shè)備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。

　　特別值得一提的是，氧化物TFT還是AMOLED新型顯示技術(shù)研發(fā)制造的關(guān)鍵技術(shù)。AMOLED顯示要解決量產(chǎn)、大尺寸制造等問題，首先需要解決的就是TFT背板開發(fā)問題。氧化物TFT技術(shù)的成功開發(fā)彌補了大尺寸AMOLED背板技術(shù)的缺陷，勢必成為推動AMOLED顯示產(chǎn)品進一步量產(chǎn)化的關(guān)鍵技術(shù)。而應用Oxide TFT技術(shù)的液晶屏及AMOLED顯示屏，其綜合性能將遠高于同類a-Si TFT產(chǎn)品。