瑞薩科技向EMT授權無電容器雙晶體管

      加拿大渥太華，5月30日和日本東京，2006年5月31日——全球領先的微控制器廠商瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與全球領先的嵌入式存儲器知識產(chǎn)權（Emerging Memory Technologies（EMT）今天宣布，瑞薩已將無電容器雙的晶體管RAM （TTRAM）技術授權給EMT。EMT將開發(fā)并將基于TTRAM技術的存儲器知識產(chǎn)權擴展到新興的硅絕緣體（SOI）CMOS市場。瑞薩作為主流嵌入式SOI存儲器知識產(chǎn)權技術的TTRAM技術也將得到擴展。

    瑞薩的TTRAM技術可在標準SOI-CMOS技術條件下實現(xiàn)動態(tài)的存儲單元結構。這個存儲單元僅由兩個串行連接的晶體管組成，而且無需使用傳統(tǒng)存儲單元中的金屬絕緣層金屬電容器。它也無需采用用于電容器特殊掩模組的派生CMOS工藝，而且可以簡化片上參考電壓源。其存儲單元結構在65nm或更高  工藝技術條件下仍然可以實現(xiàn)。

    瑞薩科技公司系統(tǒng)核心技術部副總經(jīng)理Kazutami Arimoto博士表示：“我們非常高興EMT選擇了我們的TTRAM技術來開發(fā)他們的大容量系統(tǒng)級芯片（SoC）存儲器知識產(chǎn)權。用戶需要大存儲容量的解決方案，同時又不想在面積、性能和功耗方面做出設計妥協(xié)。在EMT被授權基于存儲器知識產(chǎn)權的TTRAM技術之后，嵌入存儲器用戶將很快能夠受益于大存儲容量、經(jīng)濟有效的解決方案，而這在從前只能采用傳統(tǒng)的CMOS工藝實現(xiàn)。我們希望，通過將我們的TTRAM技術與EMT優(yōu)異的存儲器編譯技術結合在一起，進一步促進SOI存儲器應用的增長。”

     Emerging Memory Technologies公司總裁和首席執(zhí)行官Sreedhar Natarajan表示：“SOI CMOS正在從高性能微處理器領域擴展到廣闊的CMOS半導體市場。我們認為，世界一流的存儲器設計能力與瑞薩成功的SOI無電容器TTRAM技術的結合，將有助于創(chuàng)造出一種采用SOI CMOS的新型半導體解決方案?！?

    通過在TTRAM技術方面的合作，兩家公司將為他們的用戶提供一種大存儲容量的存儲器解決方案，并對存儲器知識產(chǎn)權技術的開發(fā)做出貢獻。



  注釋
SOI（硅絕緣體）：一種在薄單晶硅層中形成晶體管的半導體制造技術，它是在一種絕緣基底上創(chuàng)建的。

     TTRM：瑞薩于2005年9月26日宣布的TTRAM技術。關于進一步的信息，請訪問：http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=press_release20050926a.htm&fp=/company_info/news_and_events/press_releases