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瑞薩聯(lián)袂臺積電 外包40nm閃存工藝

—— 瑞薩電子和臺積電周一宣布增進在微控制器領(lǐng)域的合作
作者: 時間:2012-05-29 來源:semi 收藏

  正如預期,電子和臺積電周一宣布增進在微控制器領(lǐng)域的合作,而微控制器領(lǐng)域可謂是的地盤。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/132954.htm

  這兩家公司周一宣布,在將MCU技術(shù)的合作擴展到嵌入式閃存處理技術(shù),這樣,臺積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺。

  這件事似乎還只是整個大修整中的一部分。媒體發(fā)布會上并未提及向臺積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。

  瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺積電。如今,臺積電又取得了瑞薩及未來技術(shù)的外包權(quán)。通過建立MONOS處理平臺,瑞薩和臺積電希望建立一個生態(tài)系統(tǒng)從而擴大客戶群。



關(guān)鍵詞: 瑞薩 40nm

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