瑞薩聯(lián)袂臺(tái)積電 外包40nm閃存工藝

　　正如預(yù)期，瑞薩電子和臺(tái)積電周一宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作，而微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤。

　　這兩家公司周一宣布，在將MCU技術(shù)的合作擴(kuò)展到40nm嵌入式閃存處理技術(shù)，這樣，臺(tái)積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺(tái)。

　　這件事似乎還只是瑞薩整個(gè)大修整中的一部分。媒體發(fā)布會(huì)上并未提及向臺(tái)積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。

　　瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺(tái)積電。如今，臺(tái)積電又取得了瑞薩40nm及未來(lái)技術(shù)的外包權(quán)。通過(guò)建立MONOS處理平臺(tái)，瑞薩和臺(tái)積電希望建立一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)從而擴(kuò)大客戶群。