瑞薩聯(lián)袂臺積電 外包40nm閃存工藝
—— 微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤
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正如預(yù)期，瑞薩電子和臺積電周一(5月28日)宣布增進(jìn)在微控制器領(lǐng)域的合作，而微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/133006.htm這兩家公司周一宣布，在將MCU技術(shù)的合作擴(kuò)展到40nm嵌入式閃存處理技術(shù)，這樣，臺積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺。
這件事似乎還只是瑞薩整個(gè)大修整中的一部分。媒體發(fā)布會上并未提及向臺積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。
瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺積電。如今，臺積電又取得了瑞薩40nm及未來技術(shù)的外包權(quán)。通過建立MONOS處理平臺，瑞薩和臺積電希望建立一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)從而擴(kuò)大客戶群。
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