恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠超Q101標準要求)，同時具有極低PPM 水平。

　　恩智浦這一全新車用 MOSFET系列中的首批產(chǎn)品將采用D2PAK封裝，電壓級分別為30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的導通電阻(RDSon)性能。未來的Trench 6器件將會采用其他類型車用封裝形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封裝，以此作為產(chǎn)品組合的重要擴展形式，為用戶提供全面的應(yīng)用靈活性。該系列幾乎覆蓋所有汽車應(yīng)用領(lǐng)域，從簡單的車燈照明到精密復雜的傳動、車身及底盤等各系統(tǒng)的功率控制。

　　Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎(chǔ)上進一步提升開關(guān)性能，可在給定導通電阻(RDSon)條件下實現(xiàn)超低QGD，因此是汽車DC-DC開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。恩智浦的汽車級功率MOSFET器件還為各類產(chǎn)品帶來真正的邏輯電平變體，這是一項將基準導通電阻性能與閾值電壓容限相結(jié)合的重要功能，可確保MOSFET器件在高溫下的正?？刂?。

　　恩智浦半導體產(chǎn)品市場經(jīng)理Ian Kennedy表示，“我們的Trench 6汽車級功率MOSFET器件可以為車內(nèi)幾乎每個MOSFET插口提供經(jīng)過優(yōu)化的、可靠性能極高的解決方案。廣泛嚴格的測試表明，Trench 6的構(gòu)架極其簡單，且在近兩年的標準MOSFET市場業(yè)績驕人，一定可以滿足延長汽車壽命所需的品質(zhì)和可靠性要求。”