低功率LED照明趨勢
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/133636.htm
有了較大的燈尺寸,就有了相當大的空間來容納LED驅動器解決方案,并且PF和低THD仍然是強制要求。
設計挑戰(zhàn)
這些LED燈的較高瓦數(shù)會引起更高的Vds,peak(尖峰)通過MOSFET,因而需要BVDss額定值較高的MOSFET。對于高壓尖峰,由于輸入電流較高,BVDss額定值必須降低。圖14顯示了電壓尖峰為匯總的Vds,peak = Vin+nVo+Vos,其中nVo是反射的輸出電壓,也稱為Vro。
通常使用緩沖器來限制Vos峰值電壓,但緩沖器會消耗能量,從而降低了LED驅動器效率:
飛兆方案
飛兆半導體的解決方案如表2所示,單級反激與2級方法的對比如表3所示。
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