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東芝開發(fā)出高效OLED元件 發(fā)光率接近LED

—— 實(shí)現(xiàn)了非常高的發(fā)光效率
作者: 時(shí)間:2012-08-22 來源:SEMI 收藏

  開發(fā)出了發(fā)光效率高達(dá)91lm/W的照明用O元件。作為尺寸達(dá)到8cm×7cm的較大面積照明用O元件,實(shí)現(xiàn)了非常高的發(fā)光效率。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/136042.htm

  2012年3月在展會(huì)上展出的O元件的發(fā)光效率為60lm/W。在此基礎(chǔ)上通過多種改進(jìn)手段,比如(1)改變電子傳輸層的材料、(2)在作為透明電極明的ITO中追加金屬輔助布線、(3)將背面電極(陰極)材料從原來采用的鋁(Al)改為反射率高的其他材料等,大幅提高了發(fā)光效率。

  憑借(1)和(2)兩項(xiàng)手段,使發(fā)光效率在初期亮度為1000cd/m2的條件下提高到了78.6lm/W。而且還使工作電壓比原來的3.62V大幅降低至3.14V。另外還憑借(3),使發(fā)光效率在初期亮度為1000cd/m2的條件下進(jìn)一步提高到了91lm/W。

  為性能的提高帶來大的余地

  其實(shí),(1)~(3)中的手段并不算新技術(shù)。不過,東芝的最大特點(diǎn)在于,未使用最近的"流行技術(shù)",而是憑借簡單的元件構(gòu)造以及標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)光材料實(shí)現(xiàn)了大面積、高效率且低電壓動(dòng)作。

  而其他公司為了獲得高發(fā)光效率,大多在元件的表面采用提高光提取效率的技術(shù)。比如,在透明電極附近增加高折射率層,以及在元件表面形成獨(dú)有的光提取層等方法。

  東芝在2012年6月舉行的國際會(huì)議2012 SID International Symposium,Seminar & Exhibition上首次公開了該元件。當(dāng)時(shí),“競爭對(duì)手的技術(shù)人員也鼓勵(lì)說,這么簡單的元件能獲得如此之高的發(fā)光效率,意味著OLED元件還有充分的提高發(fā)光性能的空間,今后再使用最近的新技術(shù),或許還能使發(fā)光效率接近LED的水平”。



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