Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8m?最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK^® 1212封裝的器件，在實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，高度比通常的0.75mm還要低28%，同時(shí)保持相同的PCB布版樣式?！　?/p>本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/139538.htm

　　Si7655DN的應(yīng)用將包括工業(yè)系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和熱插拔，適配器、電池和充電電路中的負(fù)載開(kāi)關(guān)，智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)計(jì)算設(shè)備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和服務(wù)器/計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的冗余開(kāi)關(guān)、OR-ing和監(jiān)管應(yīng)用。

　　利用新的PowerPAK 1212封裝型號(hào)和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道Gen III技術(shù)，Si7655DN具有3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5V)的最大導(dǎo)通電阻。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

　　Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運(yùn)行的時(shí)間更長(zhǎng)，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節(jié)省寶貴的空間。

　　Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。