富士通率先在中國引入28nm SoC設(shè)計服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗
通信、消費、高性能計算領(lǐng)域的成功案例
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/139951.htm事實勝于雄辯,劉哲通過3個典型的客戶案例展現(xiàn)了富士通半導(dǎo)體在高端工藝設(shè)計上的技術(shù)實力。這3個例子分別屬于三個不同的領(lǐng)域:通信、消費電子、高性能計算,并且均已實現(xiàn)量產(chǎn)。而這三個領(lǐng)域都是富士通半導(dǎo)體的傳統(tǒng)優(yōu)勢領(lǐng)域。
富士通半導(dǎo)體是目前100G波分復(fù)用網(wǎng)絡(luò)的主要芯片設(shè)計方案提供者,是推動100G網(wǎng)絡(luò)商用的重要力量。劉哲舉第一個例子就是富士通半導(dǎo)體的一個基于標準CMOS技術(shù),使用TSMC 40nm工藝的,世界上最快的56G?65Gsps ADC IP。據(jù)悉,此IP為光網(wǎng)絡(luò)傳輸中100G波分復(fù)用網(wǎng)絡(luò)的核心,已被國內(nèi)外領(lǐng)先光通信廠商所采用并量產(chǎn),它的使用使得世界范圍內(nèi)的100G傳送網(wǎng)比預(yù)期提前兩年實現(xiàn)商用?! ?/p>
圖7:世界上最快的56G?65Gsps ADC IP。
特別值得一提的是獨特的金質(zhì)底盤封裝(圖7)。之所以要采用這樣獨特的封裝,是因為類似這樣的通信網(wǎng)絡(luò)可能有億萬門的邏輯,不論是從設(shè)計規(guī)模還是功耗都很具有挑戰(zhàn),所以不只對芯片本身的設(shè)計有要求,對芯片封裝的設(shè)計也有非常高的要求。金質(zhì)底盤是富士通半導(dǎo)體特別針對高功耗的芯片而特別設(shè)計的,此金質(zhì)底盤的Substrate有19層,這是業(yè)界非常領(lǐng)先的技術(shù),也是富士通半導(dǎo)體所獨有的。
第二個例子是世界上第一個采用28nm HPL(高性能低功耗)工藝的LTE/3G/2G 基帶IC(用于手機) ,來自排世界TOP3位置的通信廠商。由于特別使用了富士通半導(dǎo)體開發(fā)的低功耗methodology,其動態(tài)功耗降低了30%。
此外,在設(shè)計方面,此基帶LSI還采用了富士通半導(dǎo)體的一系列IP,包括ARM11、DigRFV3、V4、HSIC、USB2.0等等。
第三個例子是更加典型的28nm應(yīng)用,即今年中剛發(fā)布的富士通半導(dǎo)體與Oracle合作開發(fā)的第10代處理器——SPARC64 X多核多線程處理器,它含有16個內(nèi)核,每核雙線程,在TSMC High Performance工藝上開發(fā)。面向服務(wù)器等高性能計算領(lǐng)域,處于世界領(lǐng)先地位。的,富士通半導(dǎo)體的SPARC CPU在國際上高性能計算領(lǐng)域很有代表性?! ?/p>
圖8.富士通半導(dǎo)體與Oracle合作開發(fā)的高性能處理器SPARC64 X。
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