富士通率先在中國(guó)引入28nm SoC設(shè)計(jì)服務(wù)和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)

　　2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計(jì)公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的震動(dòng)。而在日前于重慶舉辦的“中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2012年會(huì)暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上，富士通半導(dǎo)體又一次帶來(lái)驚喜，率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設(shè)計(jì)服務(wù)帶給中國(guó)高端SoC設(shè)計(jì)業(yè)者?！　?/p>本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/139951.htm

圖1：富士通在重慶ICCAD上展示了成熟的28nm和40nm設(shè)計(jì)服務(wù)及國(guó)內(nèi)外實(shí)際量產(chǎn)案例，引發(fā)專業(yè)觀眾濃厚興趣。

　　“55nm創(chuàng)新工藝制程(CS250L和CS250S)推出后中國(guó)客戶的反饋非常好，這和我們當(dāng)初推出時(shí)的定位策略有關(guān)，如55nm transistor不變，65nm IP可以重用等，這使得以前65nm客戶可以很容易導(dǎo)入55nm制程?，F(xiàn)在已經(jīng)有2至3家消費(fèi)類電子的用戶在使用了，預(yù)計(jì)明年初將會(huì)有3個(gè)Tape out。” 富士通半導(dǎo)體ASIC/COT業(yè)務(wù)市場(chǎng)部副經(jīng)理劉哲女士介紹說(shuō)。

　　如果說(shuō)高性價(jià)比的55nm創(chuàng)新工藝制程是為了一解處于激烈競(jìng)爭(zhēng)中的本土中小客戶IC設(shè)計(jì)之“渴”，那么此次富士通半導(dǎo)體帶來(lái)的成熟已經(jīng)量產(chǎn)的28nm半導(dǎo)體制造技術(shù)則是為幫助中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)應(yīng)對(duì)高端先進(jìn)制程SoC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而生。

　　高端制程SoC設(shè)計(jì)的“N只攔路虎”

　　當(dāng)半導(dǎo)體制程進(jìn)入40nm工藝節(jié)點(diǎn)以后，成本成為高端SoC設(shè)計(jì)企業(yè)面臨的第一只“攔路虎”。如下圖2所示為32nm/28nm及22nm/20nm工藝制程投資的各項(xiàng)費(fèi)用，其中32nm/28nm工藝的收支平衡(Breakeven)為30-40M units，而22nm/20nm工藝的Breakeven更高達(dá)60-100M units，這樣高的半導(dǎo)體制造成本不只掐住了中小IC業(yè)者的喉嚨，也成為高端SoC設(shè)計(jì)廠商的巨大壓力。再加上IP方面不菲的投資以及整合驗(yàn)證，財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)可謂巨大?！　?/p>

圖2. 32nm/28nm及22nm/20nm工藝的Breakeven情況。

　　雖然邁向尺寸更小的工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了集成度和性能優(yōu)勢(shì)，但是設(shè)計(jì)和制造的復(fù)雜度也相應(yīng)成倍增加， 這成為高端SoC設(shè)計(jì)企業(yè)面臨的第二只“攔路虎”。劉哲分析道：“28nm使得一切都變得非常復(fù)雜：Double patterning、Layout-dependent effects、New interconnect layers、Difficult design rules、Device variation、New transistors等等。而曾經(jīng)存在于半導(dǎo)體制造工藝中的諸如成本、產(chǎn)量、上市時(shí)間、盈利能力、可預(yù)測(cè)能力、低功耗(面積)、復(fù)雜性等各種問(wèn)題現(xiàn)在也依然存在，不只存在，當(dāng)工藝尺寸不斷縮小，還會(huì)使問(wèn)題變得更加糟糕。”