可控硅dIT/dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)與測(cè)量

　　測(cè)試原理與測(cè)試線路設(shè)計(jì)

　　該測(cè)試線路是在傳統(tǒng)的相位控制電路的基礎(chǔ)上增加了兩個(gè)配置，利用該線路當(dāng)可控硅的控制端觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)可產(chǎn)生一個(gè)高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測(cè)量電流的變化率，當(dāng)可控硅的電特性(靜態(tài)參數(shù))發(fā)生變化時(shí)說明該器件已經(jīng)受損，此前測(cè)量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導(dǎo)通電流變化率。

　　測(cè)試電路原理圖見圖1，一個(gè)配置是隔離變壓器，可用來產(chǎn)生一個(gè)39V左右的交流電壓來控制可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通，同時(shí)我們可以通過上下兩個(gè)單刀雙擲開關(guān)來改變控制端的電壓極性，從而可用來測(cè)量可控硅的四個(gè)導(dǎo)通象限：1+，1-，3+，3-。220k的可調(diào)電阻R2用來控制導(dǎo)通的相位角，我們可以設(shè)置這個(gè)可調(diào)電阻使得在交流電的尖峰點(diǎn)觸發(fā)使得可控硅導(dǎo)通，這樣可以得到一個(gè)高的dIT/dt?！　?/p>

 

　　另一種配置是220歐姆的可調(diào)電阻R6與12歐姆R5和0.1μF的電容C2構(gòu)成的阻尼電路，調(diào)整該電阻可改變流經(jīng)可控硅的電流的變化率，即dIT/dt，當(dāng)我們需要加一個(gè)50A/μs的電流在可控硅上時(shí)，我們需要調(diào)高電阻值，而當(dāng)我們加一個(gè)大于100A/μs的電流在可控硅上，我們就需要使該變阻器的阻值變得很小，這樣可以得到高的dIT/dt。

　　需要說明的是，該測(cè)試電路中的燈泡，從40W到1000W的范圍可選，通常我們可以使用市場(chǎng)上常有的40W的燈泡。

　　測(cè)試線路原理圖

　　測(cè)試線路原理圖如圖1所示。

　　測(cè)試的步驟及注意事項(xiàng)

　　(1)在測(cè)量可控硅的dIT/dt前，需要先測(cè)量它的各項(xiàng)靜態(tài)參數(shù)，確保它是一個(gè)好的器件，以便后面進(jìn)行dIT/dt的測(cè)試。

　　(2)測(cè)量前操作：①1+和3-象限：開關(guān)向上撥;②1-和3+象限：開關(guān)向下?lián)?③在第一次測(cè)試時(shí)，為了得到最高的dIT/dt能力，需要調(diào)整220k可調(diào)電阻器，直到可控硅在交流電的尖峰時(shí)刻導(dǎo)通，以后的測(cè)量，我們就可以固定此電阻的阻值，無需調(diào)整了。

　　(3)開始測(cè)試：通過調(diào)整220歐姆的可調(diào)電阻R6得到某個(gè)dIT/dt值，我們規(guī)定不間斷的測(cè)試時(shí)間至少大于3秒鐘。

　　(4)測(cè)量完dIT/dt后，再測(cè)試該器件的各項(xiàng)靜態(tài)參數(shù)，從而判斷在某個(gè)dIT/dt值下，該器件是否受損或失效。

　　(5)增加施加在可控硅上的dIT/dt，重復(fù)步驟3和步驟4直到發(fā)現(xiàn)該器件的電特性發(fā)生改變，此時(shí)可以測(cè)試出dIT/dt的最大能力。