在選擇一款符合EN55022標準的低EMI電源之前，您應該了解些什么呢?

　　引言

　　由于市場對于提升信息技術和通信設備性能的需求，因此如今的系統(tǒng)設計人員面臨著必需設計EMI兼容產品的巨大挑戰(zhàn)。在銷售之前，所有通常被規(guī)定為具有一個高于9kHz之已調時鐘信號的信息技術設備(ITE)都必須滿足相關的政府標準，例如美國的FCC Part 15 Subpart B和歐盟的EN55022，這些標準規(guī)定了工業(yè)和商業(yè)環(huán)境(Class A)以及家庭環(huán)境(Class B)的最大可容許輻射發(fā)射。鑒于此類嚴格的EMI標準、工程人力資源限制和產品快速上市要求，使得通過EN55022標準認證之電源模塊的普及率有所提高。然而重要的是必須知曉電源模塊在認證時所處的電氣操作條件，以避免在之后的設計過程中感到詫異。對開關模式穩(wěn)壓器中的EMI干擾源和場強因子有所了解將有助于設計工程師選擇最佳的組件，以減輕特別是那些所需電流水平較高之尖端設備中的電磁輻射。

　　EMI輻射源

　　由于其特殊的性質，開關電源會產生輻射到周圍大氣中的電磁波。脈沖電壓和電流將因開關動作而出現(xiàn)，并直接影響輻射電磁波的強度(見邊欄)。此外，轉換器內部的寄生器件也會產生電磁輻射。圖2給出了一款典型的降壓型轉換器，其包括功率MOSFET的寄生電感器和寄生電容器。　　

 

　　在每個開關周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當能量釋放時將在開關節(jié)點(VSW)上產生一個很大的電壓尖峰，其最大可達輸入電壓的兩倍，如圖3所示。當MOSFET的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關動作還使輸入電流以及流過頂端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的電流產生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和PCB板印制線(其充當了發(fā)射天線)上產生電波，從而產生輻射發(fā)射和傳導發(fā)射。