聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

　　在半導(dǎo)體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進(jìn)的技術(shù)搭不上邊，不過這一次，臺灣代工廠準(zhǔn)備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由IBM領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體行業(yè)組織，成立已有數(shù)十年，成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導(dǎo)體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導(dǎo)體等赫赫有名的巨頭，共同致力于先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝的開發(fā)。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨(dú)斗，這些廠商都是共享資源、聯(lián)合開發(fā)，尤其是可以仰仗藍(lán)色巨人IBM的雄厚技術(shù)實(shí)力。

　　事實(shí)上，這并不是聯(lián)電第一次和IBM進(jìn)行此類合作。2012年的時(shí)候，雙方曾就14nm FinFET工藝的開發(fā)達(dá)成合作。

　　在IBM的強(qiáng)力支持下，聯(lián)電會繼續(xù)改進(jìn)14nm FinFET工藝的內(nèi)部開發(fā)，為移動計(jì)算和通信產(chǎn)品提供低功耗的新工藝。

　　10nm合作上，IBM聯(lián)盟會針對聯(lián)電客戶的需求開發(fā)基準(zhǔn)10nm工藝，聯(lián)電則會派出一隊(duì)工程師，前往紐約州奧爾巴尼，參與10nm的開發(fā)工作。

　　聯(lián)電的14nm FinFET、10nm工藝部署會在其臺南研發(fā)中心展開。