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Molex子公司Polymicro Technologies提供一系列特種光纖

作者: 時間:2013-06-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商公司的子公司Polymicro Technologies現(xiàn)在提供一系列Field-Beam-Protease-Inhibitor ()和Hollow Silica產(chǎn)品,非常適合光譜應(yīng)用。Polymicro Technologies業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Robert Dauphinais表示:“許多光譜應(yīng)用需要高性能,在寬光譜范圍進(jìn)行光傳輸。與受限于傳輸光譜范圍的標(biāo)準(zhǔn)光纖不同,Polymicro公司的專有光纖可以傳輸范圍更廣的波長,并且在整個波長范圍具有相對的一致性。”

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/146723.htm

  完整的產(chǎn)品線包括用于光譜應(yīng)用的基于硅石(silica-based)的專有光纖和用于IR激光發(fā)送的Hollow Silica Wavelength (HSW)光纖產(chǎn)品。

  光纖

  Polymicro公司基于硅石(silica-based)的FBPI光纖專為NIR衰減和UV防曬而優(yōu)化,在更廣泛的光譜范圍具有改進(jìn)的傳輸特性,提供了業(yè)界首個全景攝譜儀和傳感器分析。提供50-600 μm的一系列內(nèi)芯,具有低氫氧基(low –OH)純硅石內(nèi)芯的寬光譜FBPI光纖具有顯著減少的UV缺陷和其它UV吸收中心點含量。在超過2100 nm的近紅外(near-infrared,NIR)波長區(qū)域,Polymicro FBPI光纖的衰減等同于具有低氫氧基(low –OH)硅石內(nèi)芯和加氟(F-doped)覆層的標(biāo)準(zhǔn)NIR光纖。FBPI光纖的抗曝曬性能可與具有高耐輻射性的標(biāo)準(zhǔn)UV優(yōu)化高氫氧基(high –OH)光纖相媲美,并且具有低至200 nm的UV傳輸性能。

  Hollow Silica Wavelength (HSW)光纖

  堅固且靈活的用于CO2激光發(fā)送的Polymicro HSW光纖可以優(yōu)化用于IR區(qū)域3-20 μm波長的一系列應(yīng)用,包括在醫(yī)療和牙科激光應(yīng)用、工業(yè)切割和激光印刷和標(biāo)記應(yīng)用中替代高成本的笨重的剛性鉸接臂。實現(xiàn)≤100W的高激光功率輸出,中空結(jié)構(gòu)硅石可以簡化終端端接,在嚴(yán)苛的環(huán)境中減少磨損并提供強勁的緩沖??梢暂p易改變生物相容性光纖的幾何形狀,以便用于部件定制。可提供定制緩沖,HSW帶有可移動並可重用的Poly-Lok™ 連接器,是原型構(gòu)建的理想選擇。



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