聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

　　在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標又邁進了一步，當然流片完成之后還需要對過程工藝等等項目進行完善和改進，還有大量工作要做。

　　近年來，在臺積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場。在之前一輪的28nm HKMG制程技術(shù)競賽中，聯(lián)電便落在了臺積電的后面，所幸聯(lián)電后來與IBM技術(shù)發(fā)展聯(lián)盟達成了協(xié)議，要共同開發(fā)14/10nm級別FinFET制程技術(shù)。

　　當然，要把虛的電路設(shè)計高效快速地轉(zhuǎn)換成實的可制造性好的實際電路布局，還離不開EDA軟件的幫忙，這次聯(lián)電的流片設(shè)計就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC兩款EDA軟件的幫助下實現(xiàn)的。