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理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

作者:ChewLyeHuat 時(shí)間:2013-07-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  如果負(fù)載電流引起超過 25mV 的壓降,那么柵極電壓就上升,以加強(qiáng)用于實(shí)現(xiàn)理想二極管控制的 。在 導(dǎo)通時(shí),如果輸入電源短路,那么會(huì)有很大的反向電流開始從負(fù)載流向輸入。故障一出現(xiàn),柵極驅(qū)動(dòng)放大器就會(huì)檢測(cè)到故障情況,并拉低 DGATE, 以斷開理想二極管 。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/147587.htm

  熱插拔控制

  拉高 ON 引腳并拉低 /EN 引腳,就啟動(dòng)了一個(gè) 100ms 的防反跳定時(shí)周期。在這個(gè)定時(shí)周期結(jié)束之后,來自充電泵的 10µA 電流使 HGATE 引腳斜坡上升。當(dāng)熱插拔 MOSFET 接通時(shí),浪涌電流被限制到由外部檢測(cè)電阻器設(shè)定的值上,就 LTC4225 而言,該電阻器連接在 IN 和 SENSE 引腳之間 (就 LTC4227 和 LTC4228 而言,是 SENSE+ 和 SENSE━ 引腳)。有源電流限制放大器伺服 MOSFET 的柵極,這樣電流檢測(cè)放大器上就會(huì)出現(xiàn) 65mV 的電壓。如果檢測(cè)電壓高于 50mV 的時(shí)間超過了在 TMR 引腳端配置的故障過濾器延遲時(shí)間,那么電路斷路器就斷開,并拉低 HGATE。如果需要,可以在 HGATE 和 GND 之間增加一個(gè)電容器,以進(jìn)一步降低浪涌電流。當(dāng) MOSFET 柵極的過驅(qū)動(dòng) (HGATE 至 OUT 的電壓) 超過 4.2V 時(shí),拉低 /PWRGD 引腳 (圖 3)?! ?/p>

 

  理想二極管和熱插拔控制相結(jié)合

  在一個(gè)采用冗余電源的典型 µTCA 應(yīng)用中 (圖 4 和 9),在背板上對(duì)輸出進(jìn)行二極管“或”,以不用斷開系統(tǒng)電源,就可以取出或插入板卡。LTC4225 和 LTC4228 都包括理想二極管和熱插拔控制器,非常適用于這類應(yīng)用,這些器件在兩個(gè)電源之間提供平滑的電源切換,還提供過流保護(hù)?! ?/p>

 

  如果主電源掉電,那么控制器就快速響應(yīng),以斷開主電源通路中的理想二極管 MOSFET,并接通冗余電源通路中的 MOSFET,從而向輸出負(fù)載提供平滑的電源切換。熱插拔 MOSFET 保持接通,這樣這些 MOSFET 就不會(huì)影響電源切換。當(dāng)各自的 ON 引腳被拉低,或 /EN 引腳被拉高時(shí),控制器斷開熱插拔 MOSFET。當(dāng)在輸出端檢測(cè)到過流故障時(shí),熱插拔 MOSFET 的柵極被快速拉低,之后輸出就穩(wěn)定在電流限制值上,直至由 TMR 引腳電容器設(shè)定的故障過濾器延遲超時(shí)為止。熱插拔 MOSFET 斷開,/FAULT 引腳鎖定在低電平,以指示出現(xiàn)了故障。通過將 ON 引腳拉至低于 0.6V,可以使電子電路斷路器復(fù)位。

  電源優(yōu)先級(jí)

  在傳統(tǒng)的二極管“或”多電源系統(tǒng)中,由電壓較高的輸入電源給輸出供電,同時(shí)擋住電壓較低的電源。這種簡(jiǎn)單的解決方案滿足了應(yīng)用的需求,在這應(yīng)用中,電源的優(yōu)先權(quán)不僅是電壓較高的電源就優(yōu)先的問題。圖 5 顯示了一個(gè)備份電源系統(tǒng),在這個(gè)系統(tǒng)中,無論何時(shí),只要 5V 主電源 (INPUT1) 可用,就由該電源給輸出供電,而 12V 備份電源 (INPUT2) 僅當(dāng)主電源無法提供時(shí)才會(huì)使用。



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