UPD78F9211/9212/9210 自寫方式編程
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如果振蕩器時(shí)鐘/外部時(shí)鐘被選擇為系統(tǒng)時(shí)鐘，執(zhí)行指定序列的命令設(shè)定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，在HATL 狀態(tài)釋放后等待8 s，然后執(zhí)行自編程。
通過使用1 位存儲器操作指令驗(yàn)證FPRERR。
自編程模式下和HALT 模式下引腳的狀態(tài)是相同的。
在自編程模式中，禁止通過on-board/off-board 編程設(shè)置安全功能，無論安全功能如何設(shè)定，自編程命令都可執(zhí)行。想要在自編程期間禁止寫入或擦除進(jìn)程，則需要設(shè)定保護(hù)字節(jié)。
在執(zhí)行自編程命令前，確保對Flash 地址指針H（FLAPH）的第4 ～ 7 位和Flash地址指針H比較寄存器（FLAPHC）清零。如果這些位為1 時(shí)執(zhí)行自編程，設(shè)備將會故障。
在設(shè)置為自編程模式和普通模式以前，立即將FLCMD 寄存器清零（00H）。
1.3 自編程功能所使用的寄存器
自編程使用以下的寄存器
Flash 編程模式控制寄存器（FLPMC）
Flash 保護(hù)命令寄存器（PFCMD）
Flash 狀態(tài)寄存器（PFS）
Flash 編程命令寄存器（FLCMD）
Flash 地址指針H 和L 寄存器（FLAPH 和FLAPL）
Flash 地址指針H 比較寄存器和FLASH 地址指針L 比較寄存器（FLAPH 和FLAPLC）
Flash 寫入緩存寄存器（FLW）
78K0S/KY1+ 在FLASH 存儲器的0081H 地址有一個(gè)區(qū)域被稱為保護(hù)字節(jié)。
（1）Flash 編程模式控制寄存器（FLPMC）
這個(gè)寄存器用于在自編程模式下向FLASH 存儲器寫入數(shù)據(jù)時(shí)設(shè)定工作模式，并可用于讀取保護(hù)字節(jié)的值。
只有按特定順序（參考16.8.3（2） FLASH 保護(hù)命令寄存器（PFCMD））才能寫入數(shù)據(jù)，如此就不會因?yàn)榕既坏脑肼暩蓴_或者程序掛起等故障導(dǎo)致應(yīng)用系統(tǒng)意外停止。
該寄存器可通過一個(gè)8 位的存儲操作指令來設(shè)置。
復(fù)位后寄存器狀態(tài)值不確定。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/148202.htm注 1. 當(dāng)復(fù)位釋放時(shí)，第0 位（FLSPM）被清零。當(dāng)復(fù)位釋放后，保護(hù)字節(jié)的設(shè)定值可從第2 ～6 位（PRSELF0 ～ RESELF4）讀出。
2. 第2 ～ 6 位（PRSELF0 ～ RESELF4）是只讀的。
注意事項(xiàng) 1. 注意在設(shè)定自編程模式的情況下，可參考16.8.2 自編程功能的注意事項(xiàng)。
2. 預(yù)先設(shè)置CPU 時(shí)鐘，使在自編程中使CPU 時(shí)鐘大于等于1 MHz。
3. 執(zhí)行指定序列的命令設(shè)定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，以執(zhí)行自編程。10μs（最大值）+ 2 CPU 時(shí)鐘（fCPU）后HALT 指令被自動(dòng)釋放。
4. 如果振蕩器時(shí)鐘/外部時(shí)鐘被選擇為系統(tǒng)時(shí)鐘，執(zhí)行指定序列的命令設(shè)定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，在HATL 狀態(tài)釋放后等待8 μs，然后執(zhí)行
自編程。
5. 在設(shè)置為自編程模式和普通模式以前，立即將FLCMD寄存器清零（00H）。
（2）Flash 保護(hù)命令寄存器（PFCMD）
如果由于噪聲或程序掛起等原因引起的故障導(dǎo)致應(yīng)用系統(tǒng)停止，此時(shí)對FLASH 編程模式控制寄存器（FLPMC）進(jìn)行寫入操作將對系統(tǒng)產(chǎn)生嚴(yán)重影響。PFCMD 用來保護(hù)FLPMC 的寫入，這樣就不會使應(yīng)用系統(tǒng)由于疏忽導(dǎo)致停止。
必須按以下順序?qū)LPMC執(zhí)行寫入操作。
1> 寫入一特定的值（A5H）到PFCMD 中。
2> 寫入設(shè)定值到FLPMC 的第0 位（FLSPM）中（此時(shí)寫入操作是無效的）。
3> 將設(shè)定值的反碼寫入FLPMC 的第0 位（FLSPM）（此時(shí)寫入操作是無效的）。
4> 將設(shè)定值寫入FLPMC 的第0 位（FLSPM）（此時(shí)寫入操作是有效的）。
注意事項(xiàng) 在自編程模式下，不能執(zhí)行中斷服務(wù)。在執(zhí)行指定序列指令設(shè)定自編程模式以前，執(zhí)行指定序列指令設(shè)定工作模式為普通模式以后的兩點(diǎn)之間，停止中斷服務(wù)
（通過在MK0= FFH 時(shí)，執(zhí)行DI 指令）。
這樣重復(fù)寫入寄存器，可使寄存器不能被非法寫入。
可以通過FLASH 狀態(tài)寄存器（PFS）的第0 位（FPRERR）來驗(yàn)證是否出現(xiàn)非法的存儲操作。
使用1 位存儲器操作指令驗(yàn)證FPRERR。
每當(dāng)FLPMC的值發(fā)生改變的時(shí)候都必須向PFCMD 寫入值A(chǔ)5H。
PFCMD 的值可通過一個(gè)8 位的存儲器操作指令來設(shè)置。
復(fù)位后寄存器PFCMD 值不確定。
（3） Flash 釤寄存器（PFS）
如果不能按正確序（入FLASH 保o命令寄存器PFCMD）入受保o的FLASH 程模式控制寄存器（FLPMC）中，F(xiàn)LPMC不能被入并且出F保oe`，PFS 的第0 位（FPRERR）將被置1。
FPRERR 1 r，可以通^直接0 砬0。
自程模式期g可能b生的e`能蟯ㄟ^PFS 的第1位（VCERR）和第2 位（WEPRERR）位反出恚（VCERR）和（WEPRERR）可以通^0 砬0。
要C操作是否絳姓確，PFS 寄存器的必被A先清零。
PFS 可以使用1 位或8 位存ζ韃僮髦噶鈐O定。
}位後PFS被置00H。
注意事 使用1 位存ζ韃僮髦噶鋏CFPRERR。
1. FPRERR 標(biāo)的操作l件
O置l件>
絳械χ苓寄存器的入命令]有oPFCMD入特定值（PFCMD = A5H）r，PFCMDM行入操作。
在1>之後，如果第一l存χ噶畈僮韉氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後，如果第一l存χ噶畈僮韉氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後，如果第一l存χ噶釧的值不同于FLPMC 值的反a。
在3>之後，如果第一l存χ噶畈僮韉氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在3>之後，如果第一l存χ噶釧的值不同于FLPMC 值（在2> 中所）。
渥 在菱形括號內(nèi)的底于（2） Flash 保o命令字（PFCMD）。
}位l件>
如果FPRERR 標(biāo)志0
}位信號入
2. VCERR標(biāo)志的操作l件
O定l件>
擦除校e`
內(nèi)部入校e`
若VCERR 被O1，tf明Flash ]有被正確的擦除/入。在指定的程序Y要再次Flash M行擦除/入。
渥 l生擦除/入保oe`r，VCERR標(biāo)也被置1。
}位l件>
VCERR標(biāo)被置0
外部}位信號入
3. WEPRERR 標(biāo)操作l件
O置l件>
使用保o字指定一^域防止^域因FLASH 地址指H（FLAPH）和絳邢嚓P(guān)命令而引起的擦除/入。
如果“1”被入到一]有被擦除的位（一“0”的位）。
}位l件>
WEPRERR 標(biāo)被置0
外部}位信號入
（4）FLASH 程命令寄存器（FLCMD）
在自程模式下，F(xiàn)LCMD 被用砣范FLASH 的擦、、校操作。
寄存器可通^1 位或8 位的操作指令碓O(shè)置。
}位後寄存器值置00H。
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