UPD78F9211/9212/9210 自寫方式編程

注 如果絳脅煌于以上的命令r，命令被立即K止，并且Flash 釤寄存器（PFS）的第1 或2 位（WEPRERR 或VCERR）被置1。

（5）Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）
Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）用于在自程模式下指定FLASH 的擦除、入、C的_始地址。
FLAPH 和FLAPL 由燈鶻M成，程命令不絳r，它f增直到cFLAPHC 和FLAPLC 的值相等。因此，程序命令絳r，PLAPHC 和FLAPLC 的值需要重新O置。
Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）可通^1 位或8 位操作指令碓O(shè)置。
}位後寄存器值不確定。

（6） Flash 地址指H 比^寄存器和FLASH 地址指L 比^寄存器（FLAPHC和FLAPLC）在自程模式下校FLASH 存ζr，F(xiàn)LASH 地址指比^寄存器H 和L（FLAPHC 和FLAPLC）用于指定內(nèi)部序列操作的地址。
將FLAPH 的值xoFLAPHC。將FLASH 存ζ饜ｒ的最末端地址xoFLAPLC。
FLAPHC 和FLAPLC 使用1 位或8 位存ζ韃僮髦噶碓O(shè)定。
}位後FLW寄存器值置00H。

注意事 1. 在自程命令絳幸鄖埃確保FLASH 地址指H（FLAPH）的第4 ～ 7 位和FLASH 地址指H 比^寄存器（FLAPHC）清零。如果絳兇躍程命令r@些
位的值1。
2. M行block 擦除、校、空白zyr，將block 的序號(hào)（cFLAPH 的值相同）x值oFLAPHC。
3. block 擦除完成rFLAPLC 要清零，block 空白zy完成後FLAPLC要OFFH。

（7）Flash _寄存器（FLW）
在入FLASH 之前，先存υFLW 存內(nèi)。
寄存器值可用1 位或8 位存Σ僮髦噶鈐O置。
}位後FLW寄存器值置00H。

（8）保o字
保o字用于指定禁止入或擦除^域。指定的保o^域b在自程模式下有效。因受保o^域在自程模式下是不可用的，所以保o^域內(nèi)的是受保o的。