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基于ARM核的ADμC7O26硬件系統(tǒng)開發(fā)及其在醫(yī)療儀器中的應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2010-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2.1 晶振電路的設(shè)計(jì)
μC7026片上集成了一個(gè)32.768kHz晶振、一個(gè)時(shí)鐘分頻器和一個(gè)PLL(鎖相環(huán))。內(nèi)部的PLL能夠?qū)⒕д耦l率放大1376倍,即為提供一個(gè)穩(wěn)定的45MHz。為了降低功耗,可以通過軟件設(shè)置時(shí)鐘分頻器的控制寄存器PLLCON和POWCON將經(jīng)過PLL后輸出的45MHz降頻,最大可降低至352kHz,由于內(nèi)部晶振有±3%的誤差,因此,用戶可以選擇外接一個(gè)32.768kHz的晶振,通過軟件設(shè)置PLLCON值使用外部晶振,使的性能穩(wěn)定可靠。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/151296.htm


2.2 電源電路的設(shè)計(jì)
電源是系統(tǒng)可靠工作的保證,整個(gè)系統(tǒng)的外部電源輸入采用直流9V,系統(tǒng)的供電較為復(fù)雜,外接9V直流電源經(jīng)過以穩(wěn)壓集成塊7805為核心的直流電源轉(zhuǎn)變?yōu)?V直流電壓,再經(jīng)高精度、低壓差穩(wěn)壓芯片P3333轉(zhuǎn)為3.3V基準(zhǔn)電壓輸出給主電路供電及部分外圍電路。


2.3 存儲(chǔ)器擴(kuò)展電路的設(shè)計(jì)
μC7026片上集成了62kB的Flash存儲(chǔ)器,8kB的SRAM,ADμC7026片上Flash存儲(chǔ)器能夠通過串行編程模式、JTAG編程模式或并行編程模式在系統(tǒng)中編程。為了提高系統(tǒng)的存儲(chǔ)能力,這里用兩片不同的存儲(chǔ)器擴(kuò)展了32kB×16的外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。CY7C1020CV33是一種高性能、低功耗CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,并且具有自動(dòng)斷電功能。74INTl6373A是一個(gè)高性能、16位D型鎖存三態(tài)總線輸出的BiCMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,其工作電壓為3.3V。


2.4 模數(shù)轉(zhuǎn)換與數(shù)模轉(zhuǎn)換
ADμC7026片上集成了16通道12位逐次逼近型ADC,能夠在電源電壓為2.7~3.6V的范圍正常工作,在系統(tǒng)時(shí)鐘頻率為45MHz下的最高采樣率高達(dá)1MSPS。該ADC模塊提供一個(gè)高精度、低漂移的片上2.5V基準(zhǔn)電壓VREF,該電壓通過片上REFCON寄存器的軟件配置也能作為輸出,向外提供基準(zhǔn)參考源。ADμC7026片上還集成有4通道12位DAC。每個(gè)DAC都具有軌至軌的輸出電壓范圍,驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)100pF或者5kΩ,每個(gè)DAC也能通過軟件配置來選擇輸出范圍0至VREF(內(nèi)部基準(zhǔn)電壓)、0至DACref(外部基準(zhǔn)電壓)和0至AVDD,而DACref(的取值范圍是0V至AVDD。



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