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基于浮柵技術(shù)的閃存

作者: 時(shí)間:2010-10-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  這個(gè)劑量數(shù)值對(duì)恒憶的閾值電壓參數(shù)分布未產(chǎn)生任何可以測(cè)量的影響。

  這意味著恒憶客戶使用X射線檢查提前焊好的印刷電路板,無(wú)需給重新編程,無(wú)需對(duì)在正常制造過(guò)程中已完成擦除操作的進(jìn)行擦除操作,也無(wú)需為確保存在存儲(chǔ)陣列的數(shù)據(jù)的可靠性而應(yīng)用一個(gè)雙重編程算法。

  下圖是在對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)陣列施加低于1Rad劑量的X射線前后的閾壓分布曲線和對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)陣列施加30 Rad的X射線前后的閾壓分布曲線,被測(cè)試器件是恒憶的車用16Mbit串行閃存M25P16。歡迎轉(zhuǎn)載,本文來(lái)自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com/)

  

施加1 Rad / 30 Rad射線前后的閾壓分布曲線圖 www.elecfans.com

  圖3 施加1 Rad / 30 Rad射線前后的閾壓分布曲線圖

  為證明前述測(cè)試結(jié)果的有效性,查找可能的臨界條件,X射線劑量值被提高1000倍 (2.5 KRad ),并進(jìn)行兩次回流焊。

  

在受2500 Rad射線照射前后的閾壓分布曲線 www.elecfans.com

  圖4 在受2500 Rad射線照射前后的閾壓分布曲線


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