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衛(wèi)星電視高頻頭工作原理

作者: 時間:2012-07-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

集中參數(shù)電路與一般高頻放大器基本相同,電路元件用集中參數(shù)的電阻、電容和電感,參見圖7。

圖7 集中參數(shù)電路

圖7 集中參數(shù)電路

由于中放是寬頻帶電路,所以不能使用調(diào)諧回路,元件為無引線型,電路尺寸緊湊。但由于R、C元件的離散性,往往難以得到嚴(yán)格符合設(shè)計要求的數(shù)值,所以單級增益低;但可以用增加級數(shù)的方法加以解決,一般由3~4級組成,增益約為20 dB。

分布參數(shù)的中放電路可以用微帶形式實現(xiàn),參見圖8所示??上葴y出晶體管的S參數(shù),然后設(shè)計微帶匹配電路。分布參數(shù)電路的優(yōu)點是電路一致性較好,容易達(dá)到單級最佳性能,所以放大器一般是2~3級。

圖8 分布參數(shù)電路

圖8 分布參數(shù)電路

混合形式的電路是用一部分微帶線和部分集中參數(shù)元件組成的。當(dāng)?shù)谝患壒茏拥腟11值適當(dāng)時,可用較短的傳輸線和分支微帶組成輸入電路,能獲得較低的噪聲。級間和輸出電路可采用微帶和集中參數(shù)元件的結(jié)合。它設(shè)計靈活,兼有分布和集中參數(shù)電路的優(yōu)點。

室外單元的直流供電由連接室外單元的75 Ω高電纜芯線提供。室內(nèi)單元的直流電源通過高頻扼流圈傳送給室外單元,它對(3.7~4.2) GHz的微波信號和第一中頻信號均無影響。通常16 V~24 V的電壓,一路送去LNA,另一路送到室外單元的穩(wěn)壓電路,穩(wěn)壓后供室外單元其他各級使用。

3 下變頻器的主要技術(shù)要求

由于接收系統(tǒng)中天線接收到的衛(wèi)星下行微波信號非常微弱,為保證信號的質(zhì)量,將接收到的衛(wèi)星下行頻率信號進(jìn)行放大并變頻,C頻段下變頻器應(yīng)該滿足的主要技術(shù)要求如下:

(1)振幅—頻率特性好。振幅—頻率特性是指輸入電平恒定下,輸入信號頻率變化時輸出端電平變化的特性,主要包括通頻帶、功率增益、增益波動及增益斜率

方面。

通頻帶要求下變頻器的輸入頻段與衛(wèi)星下行頻段一致,輸出頻段與衛(wèi)星接收機(jī)的輸入頻段一致,而且下變頻器的輸入輸出頻段的帶寬一致;

功率增益是指輸出功率與輸入功率之比;

增益波動是指在中頻輸出的頻帶內(nèi),最大增益與最小增益之差;

增益斜率是指在中頻輸出的頻帶內(nèi),單位頻帶內(nèi)增益的變化率。

(2)噪聲系數(shù)低。噪聲系數(shù)是指下變頻器整體的等效輸入噪聲,即將整個電路產(chǎn)生的熱噪聲等效于在輸入端的一個噪聲源,通常用噪聲溫度表示。

(3)本振頻率特性好。它包括第一本振頻率的標(biāo)稱值、第一本振頻率的穩(wěn)定度、第一本振頻率的泄漏。

(4)輸入輸出的電壓駐波比及回波損耗小,輸出的電壓駐波比及回波損耗在中頻頻段內(nèi)測量,輸入的電壓駐波比及回波損耗在下行微波頻段內(nèi)測量。

(5)功率增益高。它是指下變頻器的中頻信號輸出功率大。

(6)增益穩(wěn)定性好。這是指在中頻輸出的頻帶內(nèi)增益隨時間變化的起伏小。

(7)多載波互調(diào)比小。這是指多個不同頻率的信號進(jìn)入下變頻器時的相互調(diào)制產(chǎn)物小。

(8)輸入飽和電平高。這主要是指輸入信號超過額定范圍時,引起下變頻器進(jìn)入非線性區(qū)的影響小。

(9)鏡像干擾抑制比高。這是表示下變頻器抑制鏡頻信號的能力好。當(dāng)下變頻器在線性范圍時,輸入幅度相等的帶內(nèi)信號和鏡頻信號兩者在輸出端電平比即鏡像干擾抑制比。

(10)群時延特性好。這是指下變頻器造成的群時延小。

(11)雜散信號少。這是指互調(diào)產(chǎn)物之外的無用信號少。

(12)殘余調(diào)制噪聲小。這是指當(dāng)輸入端加一標(biāo)稱頻率、標(biāo)稱電平的純正弦信號時,輸出信號中含有的附加噪聲小。

這些技術(shù)要求中,以本振頻率穩(wěn)定度高、噪聲溫度低、幅頻特性好為最重要。

以上對C頻段的主要技術(shù)要求可以概括成表1所示。但表1是針對接收C頻段衛(wèi)星模擬電視信號的而言的,如果在接收衛(wèi)星數(shù)字信號時,則除了選用噪聲溫度低,本振頻率穩(wěn)定度高,動態(tài)增益大外,還必須選用本振相位噪聲小的,因為在接收衛(wèi)星數(shù)字信號時,高頻頭的本振相位噪聲和本振頻率穩(wěn)定度大小對接收信號質(zhì)量是至關(guān)重要的(因為會影響到數(shù)字信號的誤碼率)。用于數(shù)字壓縮衛(wèi)星接收系統(tǒng)的高頻頭要求本振相位噪聲小于-65 dBc/Hz(在1 kHz處);本振頻率穩(wěn)定度小于±500 kHz。

C頻段高頻頭

對于Ku頻段高頻頭的選擇,由于目前我國使用的通信衛(wèi)星(鑫諾1號星、亞洲2號星、亞太1A星等)轉(zhuǎn)發(fā)器的下行頻段都為(12.25~12.75) GHz,而國際電聯(lián)分配給我國直播衛(wèi)星(三個軌位為62°E、80°E、92°E)的下行工作頻段為(11.7~12.2) GHz,因此所選用Ku頻段高頻頭的頻寬范圍一定要與所需接收衛(wèi)星的下行工作頻率范圍相適應(yīng)。

此外,如果使用一體化饋源高頻頭最好選用雙線極化饋源高頻頭,這樣衛(wèi)星下行的兩種極化波可以在衛(wèi)星接收機(jī)上通過極化電控切換來選擇所需接收的垂直或水平極化波。

4 現(xiàn)代高頻頭(LNB)及其發(fā)展趨勢

由于科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,國際市場競爭的加劇,使得高頻頭的制作越來越精良,性能越來越優(yōu)異,電路越來越集成化,體積越來越小,可靠性越來越高,并且增加了很好的防雷擊能力。以下詳細(xì)介紹現(xiàn)代高頻頭的主要特點及其發(fā)展趨勢。

(1)超低噪聲特性

由于HEMT管子的問世和廣泛應(yīng)用,目前已可獲得低達(dá)20°K的C頻段的噪聲溫度特性和約40 dB的功率增益,以及約40°K的Ku頻段的噪聲溫度特性。

(2)自振混頻電路

采用自振混頻單片電路,使變頻器電路大為簡化。使用這種單片電路,完成了本振、混頻和第一中放作用,此單片電路不僅沒有變頻損耗,而且獲得了近10 dB的變頻增益,簡化了電路,增加了可靠性,最常見的單片電路為MSA0886,MSF8885等。

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