無芯射頻標(biāo)簽散射場分析和極點(diǎn)提取研究 作者： 時間：2012-06-18 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 圖3(a)為槽數(shù)為8個的標(biāo)簽結(jié)構(gòu)。圖3(b)是激勵平面波頻率為2～10 GHz，0°極化，激勵角度是0°，30°，60°情況下的散射場。圖3(c)給出了90°極化的RCS和E場。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/154628.htm 上一頁 1 2 3 4 下一頁
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