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一種帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)與仿真

作者: 時間:2011-08-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2 帶隙源電路
2.1 帶隙核心電路
帶隙核心電路采用一階補(bǔ)償技術(shù),溫度系數(shù)一般能達(dá)到(10~20)×10-6℃。如圖2所示,為本的帶隙基準(zhǔn)源的核心電路,圖中用PMOS電流源作為偏置電流,由于MOS管的溝道長度調(diào)制效應(yīng)會導(dǎo)致顯著的電源依賴性。為解決這一問題,可利用共源共柵結(jié)構(gòu)良好的屏蔽特性,電路中的電流源采用共源共柵結(jié)構(gòu)。同時為減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響,可采用兩個三極管級聯(lián)的結(jié)構(gòu)。運(yùn)算放大器用來保證N1和N2兩點(diǎn)的電位相等。根據(jù)理論分析可知,適當(dāng)調(diào)整晶體管Q1~Q5的發(fā)射極面積和電阻R1~R5的電阻值,可產(chǎn)生與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓VREF。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/155888.htm

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